摘要:
通过Stille缩聚反应合成了两种具有酞菁或噻吩[3,4-c]吡咯-4,6-二酮作为电子受体,双噻吩作为电子供体的供体-受体(D-A)交替共聚物(P1和P2)。这两种聚合物均表现出良好的热稳定性和较低的HOMO能级。制备了具有常见结构的OFET器件,以评估和比较这两种聚合物的FET性能。尽管P2比P1具有更好的共面性,但FET结果显示P1的空穴迁移率和电流开-关比P2高出不止一个数量级。进行了理论计算和AFM分析,以探讨这一非常有趣的结果的原因,并发现聚合物链构象是聚合物获得高FET性能的另一个重要因素(除共面性之外)。