报道了在氮原子上具有不同取代的苯基的吲哚并[3,2- b ]咔唑的新衍生物的合成和完整表征。提出了它们的热,光学电化学和光电性能的比较研究。合成的化合物是电化学稳定的。它们的最高占据分子轨道能量值在-5.14至-5.07 eV的范围内。合成材料薄膜的电子发射光谱显示出5.31–5.47 eV的电离势。5,11-双(3-甲氧基苯基)-6-戊基-5,11-二氢吲哚并[3,2- b ]咔唑的非晶膜的空穴漂移迁移率超过10 –3 cm 2/ V·s在高电场下,这是通过静电复印飞行时间技术确定的。与咔唑的二苯基氨基取代的衍生物相反,对于吲哚并[3,2- b ]咔唑的合成的甲氧基苯基取代的衍生物,未观察到甲氧基的位置对光电性能的影响。吲哚并[3,2- b ]咔唑核具有较大的共振结构,该共振结构包括3个苯环,因此与咔唑相比,HOMO和LUMOπ轨道的能隙较小。在苯基取代基和核心部分之间存在较大的能量差时,吲哚[3