使用二
吲哚[3,2- b:4,5- b]的三个新的A-π-D-π-A型小分子(DIP-T,DIP-HT和DIP-H
TT)']
吡咯(DIP)作为富电子供体(D)嵌段,
茚二酮作为电子不足的受体(A)基团,
噻吩,
3-己基噻吩或4-己基-2,2'-二
噻吩作为共轭物π桥被设计,合成和表征为有机太阳能电池(OSC)的施主材料。通过理论计算,紫外-可见光谱,循环伏安法和空间电荷限制,研究了含
噻吩的π-桥的长度和位阻对分子构型,光学,电
化学和电荷传输性质的影响。当前方法。这些基于DIP的小分子(SM)具有出色的溶解性和良好的热稳定性。直插式与具有
3-己基噻吩和4-己基-2的DIP-HT和DIP-H
TT相比,以
噻吩为π桥的
噻吩具有更广泛的吸收,更高的HOMO能级,更高的空穴迁移率和更优异的活性层形态, 2'-二
噻吩分别作为共轭π-桥。结果,相对于其他两个SM ,基于DIP-T的优化OSC表现出明显更高的4.