2,5-bis[p-(hexylphenyl)vinyl]-thieno[3,2-b]thiophene | 1361012-90-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 噻吩并噻吩类
• 英文名称: 2,5-bis[p-(hexylphenyl)vinyl]-thieno[3,2-b]thiophene
• CAS: 1361012-90-9
• 化学式: C₃₄H₄₀S₂
• 分子量: 512.824
• InChiKey: LTVBZQJNYFZKEA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  11.55
• 重原子数：
  36.0
• 可旋转键数：
  14.0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.35
• 拓扑面积：
  0.0
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  噻吩并[3,2-b]噻吩 在 正丁基锂 、 lithium methanolate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.5h， 生成 2,5-bis[p-(hexylphenyl)vinyl]-thieno[3,2-b]thiophene
  参考文献：
  名称：

  用于OFET有源层应用的噻吩并[3,2-b]噻吩衍生物的合成及性能

  摘要：

  通过短步骤合成了一系列具有苯乙烯基的噻吩并[3,2-b]噻吩衍生物，并通过紫外-可见吸收光谱和循环伏安法进行表征。基于这些结果，我们发现与未烷基化的苯乙烯基取代分子相比，将长链烷基引入末端苯乙烯基会导致更窄的 HOMO-LUMO 间隙和更高的 HOMO 能级。使用这些衍生物作为有源层的有机场效应晶体管 (OFET) 器件是通过真空沉积工艺制造的。结果表明，这些器件显示出高达 3.5 × 10-2 cm2/Vs 的相对较高的空穴迁移率。这些设备还表现出良好的稳定性，即它们的流动性在空气中超过 100 天没有降低。所以，这些事实表明，引入长链烷基化苯乙烯基是提高 OFET 空穴迁移率的有效方法。© 2012 Wiley Periodicals, Inc. 杂原子化学 24:25–35, 2013; 在 wileyonlinelibrary.com 上在线查看这篇文章。DOI 10.1002/hc

  DOI：

  10.1002/hc.21059