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(6R,11S)-6,11-dihydro-6,11-methanotetraceno[3,2-b]thiophen-14-one | 1332523-12-2

中文名称
——
中文别名
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英文名称
(6R,11S)-6,11-dihydro-6,11-methanotetraceno[3,2-b]thiophen-14-one
英文别名
——
(6R,11S)-6,11-dihydro-6,11-methanotetraceno[3,2-b]thiophen-14-one化学式
CAS
1332523-12-2
化学式
C21H12OS
mdl
——
分子量
312.392
InChiKey
SHYDXSPOQTXWAH-UXHICEINSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    (6R,11S)-6,11-dihydro-6,11-methanotetraceno[3,2-b]thiophen-14-one四氢呋喃 为溶剂, 以55.6%的产率得到tetraceno[2,3-b]thiophene
    参考文献:
    名称:
    Solution-processed organic micro crystal transistor based on tetraceno[2,3-b]thiophene from a monoketone precursor
    摘要:
    合成、热和光物理性质,以及由可溶性四萘[2,3-b]噻吩前体1制成的溶液加工有机场效应晶体管的研究。化合物1通过6个步骤合成,得率为9.8%。热重分析(TGA)表明,在约130°C时发生了9.1%的重量损失,这与羰基的排出相对应。从1中在溶液状态下光生成四萘[2,3-b]噻吩的过程符合一阶速率定律,速率常数(k)为2.05 × 10−2 s−1,产率为55.6%(±0.9%),在1.25 mW cm−2的紫外灯照射下实现。通过X射线衍射(XRD)确认,由热或光形成的1的板状微晶与报告的X射线晶体学数据模拟结果相同。单晶的场效应迁移率测量为4.75 × 10−1 cm2 V−1s−1,开关比为105。通过电子顺磁共振(EPR)分析支持了热和光形成的单晶高纯度。这是首次报告的无大取代基的线性烯烃溶液处理单晶场效应晶体管。在另一项实验中,直接从通过旋涂法制备的无定型薄膜1制成的器件,表现出3.0 × 10−4 cm2 V−1s−1的载流子迁移率,开关比为103。
    DOI:
    10.1039/c1jm11834j
  • 作为产物:
    描述:
    碘苯二乙酸 作用下, 以 为溶剂, 反应 12.0h, 以29 mg的产率得到(6R,11S)-6,11-dihydro-6,11-methanotetraceno[3,2-b]thiophen-14-one
    参考文献:
    名称:
    Solution-processed organic micro crystal transistor based on tetraceno[2,3-b]thiophene from a monoketone precursor
    摘要:
    合成、热和光物理性质,以及由可溶性四萘[2,3-b]噻吩前体1制成的溶液加工有机场效应晶体管的研究。化合物1通过6个步骤合成,得率为9.8%。热重分析(TGA)表明,在约130°C时发生了9.1%的重量损失,这与羰基的排出相对应。从1中在溶液状态下光生成四萘[2,3-b]噻吩的过程符合一阶速率定律,速率常数(k)为2.05 × 10−2 s−1,产率为55.6%(±0.9%),在1.25 mW cm−2的紫外灯照射下实现。通过X射线衍射(XRD)确认,由热或光形成的1的板状微晶与报告的X射线晶体学数据模拟结果相同。单晶的场效应迁移率测量为4.75 × 10−1 cm2 V−1s−1,开关比为105。通过电子顺磁共振(EPR)分析支持了热和光形成的单晶高纯度。这是首次报告的无大取代基的线性烯烃溶液处理单晶场效应晶体管。在另一项实验中,直接从通过旋涂法制备的无定型薄膜1制成的器件,表现出3.0 × 10−4 cm2 V−1s−1的载流子迁移率,开关比为103。
    DOI:
    10.1039/c1jm11834j
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