一种新型的富电子环戊二
硫噻吩(9 H -thieno [3,2- b ] thieno [2“,3”:4',5'] thieno [2',3':3,4]环戊[[1,2- d ]
噻吩,CD
TT)是通过优化的一锅法报道的,该方法涉及两个连续的
锂化/酰化步骤。三种新型共聚物,包含各种电子不足的受体
2,1,3-苯并噻二唑(BT),5,6-二
氟-
2,1,3-苯并噻二唑(DFBT)和
萘[1,2- c:5,6-通过Stille聚合制备c ]双[1,2,5]-
噻二唑(NT)。这三种聚合物在晶体管器件中显示出令人鼓舞的电荷传输特性,其中PCD
TT-BT的单极空穴迁移率高达0.67 cm 2 V –1 s –1在利用
金源漏电极的顶栅器件中。更换为Al / Au双层电极会导致双极性晶体管的行为,PCD
TT-DFBT的平衡空穴和电子迁移率分别为0.38和0.17 cm 2 V –1 s –1。这些结果清楚地表明,