2,6-dicyanonapthalene-1,4:5,8-dianhydride | 1027050-34-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物
• 英文名称: 2,6-dicyanonapthalene-1,4:5,8-dianhydride
• 英文别名: 1,3,6,8-Tetraoxo-1,3,6,8-tetrahydroisochromeno[6,5,4-def]isochromene-4,9-dicarbonitrile；5,7,12,14-tetraoxo-6,13-dioxatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1(15),2,4(16),8,10-pentaene-2,9-dicarbonitrile
• CAS: 1027050-34-5
• 化学式: C₁₆H₂N₂O₆
• 分子量: 318.202
• InChiKey: FQENTSQWEWTQHW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  776.4±60.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.87±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.3
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  134
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,6-dicyanonapthalene-1,4:5,8-dianhydride 、 四氰基乙烯 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 1.0h， 以85.1%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  一种萘二酰亚胺衍生物及其制备方法和应用

  摘要：

  本发明属于有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种具有低LUMO能级的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法和应用。本发明通过对该萘二酰亚胺衍生物进行分子设计，能够有效降低材料的LUMO能级(‑4.6至‑6eV)，该类衍生物的LUMO能级可以和空穴传输材料的HOMO形成良好匹配，从而满足使用需求；同时，通过对分子结构的精确调控，该类萘二酰亚胺衍生物具有良好的稳定性，低挥发性，高的分解温度，分解温度达到306℃以上，更加稳定。作为n‑型掺杂材料应用到有机电致发光器件中，可以有效提升空穴浓度和空穴迁移速率，进而降低器件的开启电压，提高电流效率。

  公开号：

  CN109776533B
• 作为产物：
  描述：

  1,4,5,8-萘四甲酸酐 在 1,1'-双(二苯基膦)二茂铁 、 tris-(dibenzylideneacetone)dipalladium(0) 、 硫酸 、 溴 作用下， 以 1,4-二氧六环 为溶剂， 反应 32.0h， 生成 2,6-dicyanonapthalene-1,4:5,8-dianhydride
  参考文献：
  名称：

  一种萘二酰亚胺衍生物及其制备方法和应用

  摘要：

  本发明属于有机电致发光材料技术领域，具体涉及一种具有低LUMO能级的萘二酰亚胺衍生物及其制备方法和应用。本发明通过对该萘二酰亚胺衍生物进行分子设计，能够有效降低材料的LUMO能级(‑4.6至‑6eV)，该类衍生物的LUMO能级可以和空穴传输材料的HOMO形成良好匹配，从而满足使用需求；同时，通过对分子结构的精确调控，该类萘二酰亚胺衍生物具有良好的稳定性，低挥发性，高的分解温度，分解温度达到306℃以上，更加稳定。作为n‑型掺杂材料应用到有机电致发光器件中，可以有效提升空穴浓度和空穴迁移速率，进而降低器件的开启电压，提高电流效率。

  公开号：

  CN109776533B

文献信息

• Naphthalenetetracarboxylic Aicd Derivatives and their Use as Semiconductors
  申请人：Konemann Martin

  公开号：US20080300405A1

  公开（公告）日：2008-12-04

  The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivates, to a process for their preparation and to their use, especially as an n-type semiconductor.

  本发明涉及萘四羧酸衍生物，其制备方法及其用途，特别是作为n型半导体。
• Methods for preparing arene-BIS (dicarboximide)-based semiconducting materials and related intermediates for preparing same
  申请人：Facchetti Antonio

  公开号：US20080177073A1

  公开（公告）日：2008-07-24

  The present teachings provide compounds of formulae I and II: where Q, R a , R 1 , W, and n are as defined herein. The present teachings also provide methods of preparing compounds of formulae I and II, including methods of preparing compounds of formula II from compounds of formula I. The compounds disclosed herein can be used to prepare semiconductor materials and related composites and electronic devices.

  本教学提供了符合以下公式I和II的化合物：其中Q、Ra、R1、W和n的定义如本文所述。本教学还提供了制备符合公式I和II的化合物的方法，包括从符合公式I的化合物制备符合公式II的方法。本文披露的化合物可用于制备半导体材料、相关复合材料和电子器件。
• NAPHTHALINTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS HALBLEITER
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2532663A1

  公开（公告）日：2012-12-12

  Die vorliegende Erfindung betrifft Naphthalintetracarbonsäurederivate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere als Halbleiter vom n-Typ.

  本发明涉及萘四甲酸衍生物、其制备工艺及其用途，特别是用作 n 型半导体。
• Method for the deposition of an organic material
  申请人：CLAP Co., Ltd.

  公开号：US10741762B2

  公开（公告）日：2020-08-11

  The present invention relates to a method for the deposition of at least one layer of an organic material on a substrate by (a) providing a source of a solid organic material in an atmosphere at a pressure comprised between 50 and 200 kPa, (b) heating said organic material to a first temperature to produce a vapor of said organic material, (c) exposing at least one surface of a substrate having a second temperature lower than said first temperature to said vapor to deposit organic material from said vapor onto said at least one surface of said substrate.

  本发明涉及一种在基底上沉积至少一层有机材料的方法，具体方法是：(a) 在压力介于 50 至 200 千帕之间的大气中提供固体有机材料源；(b) 将所述有机材料加热到第一温度，以产生所述有机材料的蒸汽；(c) 将第二温度低于所述第一温度的基底的至少一个表面暴露于所述蒸汽中，以将有机材料从所述蒸汽中沉积到所述基底的至少一个表面上。
• NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS
  申请人：Könemann Martin

  公开号：US20120059168A1

  公开（公告）日：2012-03-08

  The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivates, to a process for their preparation and to their use, especially as an n-type semiconductor.