【課題】良好なマスクエラーファクタ(MEF)でレジストパターンを製造することができる塩及びレジスト組成物の提供。【解決手段】式(I)で表される塩。[Q1、Q2、Q1’及びQ2’は、其々F又はペルフルオロアルキル基;R1、R2、R1’及びR2’は、其々H、F等;z及びz’は其々0〜6の整数;X1及びX1’は、其々*−CO−O−、*−O−CO−等;L1は、置換/非置換の炭化水素基;R3及びR4は、其々H、式(1a)又は式(2a)で表される基;Raa1、Raa2及びRaa3は、其々アルキル基等;Raa1’及びRaa2’は、H又はアルキル基;Raa3’はアルキル基;XcはO又はS;Z+及びZ’+は、其々有機カチオンを表す。]【選択図】なし
提供可用于制造具有良好掩模误差因子(MEF)的光刻胶图案的盐和光刻胶组合物。所述盐由式(I)表示。[Q1、Q2、Q1'和Q2'分别为F或
全氟烷基;R1、R2、R1'和R2'分别为H、F等;z和z'分别为0~6的整数;X1和X1'分别为*−CO−O−、*−O−CO−等;L1为取代/非取代的烃基;R3和R4分别为H、由式(1a)或式(2a)表示的基;Raa1、Raa2和Raa3分别为烷基等;Raa1'和Raa2'为H或烷基;Raa3'为烷基;Xc为O或S;Z+和Z'+分别表示有机阳离子。][选择图]无