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vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine C16N16OS4V, β, orthorhombic | 1352435-50-7

中文名称
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中文别名
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英文名称
vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine C16N16OS4V, β, orthorhombic
英文别名
vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine;VOTTDPz
vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine C16N16OS4V, β, orthorhombic化学式
CAS
1352435-50-7
化学式
C16N16OS4V
mdl
——
分子量
611.488
InChiKey
XFMWYBYKDCIXAG-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    None
  • 重原子数:
    None
  • 可旋转键数:
    None
  • 环数:
    None
  • sp3杂化的碳原子比例:
    None
  • 拓扑面积:
    None
  • 氢给体数:
    None
  • 氢受体数:
    None

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    氯化钒3,4-dicyano-1,2,5-thiadiazole 在 air 作用下, 以 吡啶 为溶剂, 以57%的产率得到vanadyl tetrakis(thiadiazole)porphyrazine C16N16OS4V, β, orthorhombic
    参考文献:
    名称:
    顺磁半导体的晶体结构,自旋极化,固态电化学和高n型载流子迁移率:钒基四(噻二唑)卟啉
    摘要:
    我们报告的合成,晶体结构,和磁性,电化学,和载流子传输性质氧钒,四(噻二唑)四氮杂卟啉(缩写为VOTTDPz)与小号= 1 / 2。X射线晶体分析表明有两种多晶型物,即α和β形式。前者由一维规则π堆栈组成,而后者则构成2Dπ网络。分子轨道计算表明V 4+(d 1)基态和整个分子骨架上的特征性自旋极化。α形顺磁化率的温度依赖性清楚地表明,具有正Weiss常数θ= 2.4 K的铁磁相互作用,这由McConnell的I型机理很好地解释了。VOTTDPz形成表面平坦且光滑的非晶薄膜,其循环伏安曲线表明由于卟啉π环的还原,单电子还原过程是高度电致变色的。具有离子液体栅电介质的VOTTDPz薄膜场效应晶体管表现出n型性能,其高迁移率μ= 2.8×10 –2 cm 2 V –1 s –1,开/关比为10 4即使薄膜是非晶的。
    DOI:
    10.1021/ic201880g
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