3-chloro-3,3-difluoro-2-methylpropene | 373-99-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机卤素化合物 - 有机氟化物
• 英文名称: 3-chloro-3,3-difluoro-2-methylpropene
• 英文别名: 3-Chloro-3,3-difluoro-2-methylprop-1-ene
• CAS: 373-99-9
• 化学式: C₄H₅ClF₂
• 分子量: 126.534
• InChiKey: KXEKGCMKKQFONQ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  46 °C(Press: 752 Torr)
• 密度：
  1.131±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.8
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  3-chloro-3,3-difluoro-2-methylpropene 在 lithium aluminium tetrahydride 、 氮气 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 以69%的产率得到1,1-二氟-2-甲基丙-1-烯
  参考文献：
  名称：

  PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD

  摘要：

  本发明是一种包括由CxHyFz（其中x=3、4或5，y+z≦2x，且y>z）表示的不饱和氟碳氢化物的蚀刻气体，以及一种使用该蚀刻气体相对于硅氧化物膜或硅膜选择性蚀刻硅氮化物膜的方法。根据本发明，可以高度选择性地蚀刻堆叠在硅氧化物膜或硅膜上的硅氮化物膜。

  公开号：

  US20140306146A1
• 作为产物：
  描述：

  1-chloro-1,1-difluoro-2-methyl-propan-2-ol 在 吡啶 、 氯化亚砜 作用下， 生成 3-chloro-3,3-difluoro-2-methylpropene
  参考文献：
  名称：

  1,1-Difluoro-2-methylpropene, 3,3-Difluoro-2-methylpropene and 3,3-Difluoro-3-chloro-2-methylpropene¹

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01592a077

文献信息

• Aluminum oxide-induced gas-phase ring-opening in methyl substituted gem-difluorocyclopropanes, leading to 2-fluorobuta-1,3-dienes and vinylacetylenes
  作者：N. V. Volchkov、M. B. Lipkind、M. A. Novikov、O. M. Nefedov

  DOI：10.1007/s11172-015-0914-6

  日期：2015.3

  A gas-phase pyrolysis of methyl-substituted gem-difluorocyclopropanes in a flow-tube reactor in the presence of Al2O3 at 185—250 °C gives 2-fluorobuta-1,3-dienes and vinylacetylenes.

  在流管反应器中，在 Al2O3 存在下，在 185-250 °C 下，甲基取代的偕二氟环丙烷的气相热解得到 2-氟丁-1,3-二烯和乙烯基乙炔。
• PLASMA ETCHING GAS AND PLASMA ETCHING METHOD
  申请人：Ito Azumi

  公开号：US20140306146A1

  公开（公告）日：2014-10-16

  The present invention is an etching gas comprising an unsaturated fluorohydrocarbon represented by C x H y F z (wherein x=3, 4, or 5, y+z≦2x, and y>z) and a method comprising selectively etching a silicon nitride film relative to a silicon oxide film or a silicon film using the etching gas. According to the present invention, a silicon nitride film stacked on a silicon oxide film or a silicon film can be highly selectively etched.

  本发明是一种包括由CxHyFz（其中x=3、4或5，y+z≦2x，且y>z）表示的不饱和氟碳氢化物的蚀刻气体，以及一种使用该蚀刻气体相对于硅氧化物膜或硅膜选择性蚀刻硅氮化物膜的方法。根据本发明，可以高度选择性地蚀刻堆叠在硅氧化物膜或硅膜上的硅氮化物膜。
• Process for preparing fluoroolefins
  申请人：——

  公开号：US02733278A1

  公开（公告）日：1956-01-31
• 1,1-Difluoro-2-methylpropene, 3,3-Difluoro-2-methylpropene and 3,3-Difluoro-3-chloro-2-methylpropene¹
  作者：Richard S. Corley、Saul G. Cohen、Myron S. Simon、Henry T. Wolosinski

  DOI：10.1021/ja01592a077

  日期：1956.6