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methylsilylene | 55544-30-4

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
methylsilylene
英文别名
Methylsilylen
methylsilylene化学式
CAS
55544-30-4
化学式
CH4Si
mdl
——
分子量
44.1283
InChiKey
UXGLRIWBLMFGNJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -0.06
  • 重原子数:
    2
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    methylsilylene硅烷 作用下, 生成 methyldisilane
    参考文献:
    名称:
    时间分辨研究甲基亚甲硅烷基与硅烷和甲基硅烷的气相反应的温度依赖性
    摘要:
    业已发现,气相1,2-二甲基乙硅烷的193 nm激光闪光光解能在454-515 nm波长范围内提供宽带吸收,这可能是由于瞬态物质甲基亚甲硅烷基MeSiH所致。通过进行标题研究,对MeSiH进行了首次直接动力学研究,获得了MeSiH与SiH 4,MeSiH 3,Me 2 SiH 2和Me 3 SiH在温度范围为360-580的反应的二级速率常数。K.反应很快,但显示出负活化能,从SiH 4的–7.5 kJ mol –1增加到Me 3的–18.4 kJ mol –1。SiH。数据被解释为是通过一个中间复合物进行的,该中间复合物的重排在较高温度下决定了速率。MeSiH与其他甲硅烷基的反应活性的比较揭示了这些配合物的甲基取代基作用的一般模式。结合从头算理论(对于SiH 2与SiH 4的反应),这些表明亲电相互作用可能先于亲核相互作用,尽管后者在速率确定(第二步)对于两个MeSiH的插入反应均很重要和SiMe
    DOI:
    10.1039/ft9938900411
  • 作为产物:
    描述:
    silaethene 作用下, 以 solid matrix 为溶剂, 生成 methylsilylene
    参考文献:
    名称:
    Maier, Guenther; Mihm, Gerhard; Reisenauer, Hans Peter, Chemische Berichte, 1984, vol. 117, # 7, p. 2369 - 2381
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Mechanism of addition of silanediyls (silylenes) to buta-1,3-diene
    作者:Michael P. Clarke、Iain M. T. Davidson
    DOI:10.1039/c39880000241
    日期:——
    From experiments on the addition of :SiMeX (X = H, Cl, Me) to Buta-1,3-diene, it is concluded that the main cyclic adduct in each case results from initial 1,2-addition to form a vinylsilacyclopropane followed by a 1,3-silyl shift, rather than Si–C bond rupture.
    从对:SiMeX(X = H,Cl,Me)添加到Buta-1,3-diene的实验中得出的结论是,在每种情况下,主要的环状加合物是由最初的1,2-加成形成乙烯基硅环丙烷通过1,3-甲硅烷基转移而不是Si–C键断裂。
  • Reactions of Silicon Atoms with Methane and Silane in Solid Argon: A Matrix-Spectroscopic Study
    作者:Günther Maier、Hans Peter Reisenauer、Jörg Glatthaar
    DOI:10.1002/1521-3765(20021004)8:19<4383::aid-chem4383>3.0.co;2-1
    日期:2002.10.4
    The reaction of silicon atoms with methane (1) and silane (7) in argon at 10 K has been studied. Methane (1) is found to be inert to silicon atoms, but reaction occurs upon photochemical excitation under formation of methylsilylene (2). On the contrary, silane (7) is spontaneously converted into a mixture of silylsilylene (10) and disilene (12). Subsequent irradiation generates the butterfly-type disilyne
    研究了硅原子与氩气中甲烷(1)和硅烷(7)在10 K下的反应。发现甲烷(1)对硅原子呈惰性,但是在光化学激发下在形成甲基亚甲硅烷基(2)时会发生反应。相反,硅烷(7)自发地转化为甲硅烷基亚甲硅烷基(10)和二甲苯(12)的混合物。随后的辐照会产生蝴蝶型二硅Si(2)H(2)(14)以及第三种光产物,我们假设这是双桥Si(2)H(4)异构体13。新物种基于对实验IR和UV / Vis光谱与密度泛函理论计算数据的比较。结果得到同位素标记研究的支持。
  • Ultraviolet photolysis of 1,2-Dimethyldisilane in the gas phase
    作者:Najem Al-Rubaiey
    DOI:10.1016/j.jphotochem.2018.04.041
    日期:2018.6
    The formation of MeSiH is the primary process in the photolysis of 1,2-dimethyldisilane at 193 nm that are analogues of carbenes. Gas chromatographic technique was used with a flame ionization detector as an analysis tool to identify the products mixture. The photolysis light at 193 nm was provided by an Oxford KX2 pulsed laser operated with rare-gas halide (known as an excimer laser) as the gain medium
    MeSiH的形成是1,2-二甲基乙硅烷在193 nm处的光解的主要过程,这是卡宾的类似物。气相色谱技术与火焰电离检测器一起用作分析工具,以鉴定产物混合物。牛津KX2脉冲激光器以稀有气体卤化物(称为受激准分子激光器)作为增益介质,提供193 nm的光解光,以提供紫外线(UV)辐射。这项工作已经证实自由基过程在1,2-二甲基乙硅烷的光解中并不重要。制定了一种确定MeSiH反应速率常数相对于1,2-二甲基乙硅烷速率常数的方法。这已用于确定MeSiH插入与甲基硅烷的一些相对速率常数。MeSiH与SiH的插入反应4和甲基硅烷已显示出与SiH 2的反应性比与SiMe 2的反应性更快且更接近,而PhSiH的反应性似乎比MeSiH略高。
  • Inorganic polymer-derived hollow SiC and filled SiCN sphere assemblies from a 3DOM carbon template
    作者:Hao Wang、Jong-Sung Yu、Xiao-dong Li、Dong-pyo Kim
    DOI:10.1039/b407350a
    日期:——
    Three-dimensional long range ordered hollow SiC and filled SiCN sphere assemblies were prepared for the first time by embedding low molecular weight pre-ceramic polymers of polymethylsilane and polysilazane into sacrificial 3DOM carbon templates which were subsequently burned out in air after pyrolysis under a nitrogen atmosphere.
    通过将低分子量的聚甲基硅烷和聚硅氮烷预陶瓷聚合物嵌入牺牲的3DOM碳模板中,首次制备了三维长程有序中空SiC和填充的SiCN球形组件,随后将其在氮气氛下热解后在空气中烧掉。
  • Maier, Guenther; Mihm, Gerhard; Reisenauer, Hans Peter, Chemische Berichte, 1984, vol. 117, # 7, p. 2351 - 2368
    作者:Maier, Guenther、Mihm, Gerhard、Reisenauer, Hans Peter
    DOI:——
    日期:——
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