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silver 3,3-dimethylbutanoate | 1185458-11-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
silver 3,3-dimethylbutanoate
英文别名
Silver;3,3-dimethylbutanoate
silver 3,3-dimethylbutanoate化学式
CAS
1185458-11-0
化学式
Ag*C6H11O2
mdl
——
分子量
223.02
InChiKey
HLVVXXSPAOKKNY-UHFFFAOYSA-M
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.17
  • 重原子数:
    9
  • 可旋转键数:
    1
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.83
  • 拓扑面积:
    40.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

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文献信息

  • Solid-State NMR, X-Ray Diffraction, and Theoretical Studies of Neutral Mononuclear Molecular Bis(triphenylphosphine)silver(I) Mono-Carboxylate and -Nitrate Systems
    作者:Simon Grabowsky、Allan H. White、Peter C. Healy、Kim M. Lapere、Seik Weng Ng、Brian W. Skelton、Duncan A. Wild、Graham A. Bowmaker、John V. Hanna
    DOI:10.1071/ch19616
    日期:——
    these complexes contain P2AgO2 molecular cores with four-coordinate silver in which the carboxylate ligands are weakly bound to the silver atoms via the two oxygen atoms giving rise to unsymmetrical chelate units. Crystal structure determinations and solid-state NMR spectra have also been analysed for the mononuclear molecular silver(i) nitrate complex [(Ph3P)2Ag(O2NO)] (9α) and two polymorphs of its
    [[Ph 3 P)2 Ag(O 2 XY)]形式的中性单核分子(i)羧酸盐配合物,O 2 XY = O 2 CCH 2 Ph,O 2 CCHPh 2,O 2 CC(CH 3)3,O- 2 CCH 2 C(CH 3)3,和O 2 CCF 3(化合物1 - 4和5β)已在固态使用单晶X射线结构测定已经研究了,1D 31P CPMAS NMR和2D 31 P– 31 P CPCOSY NMR测量,以及从头计算模型。结果表明,这些配合物包含具有四配位的P 2 AgO 2分子核,其中羧酸配体通过两个原子与原子弱结合,从而形成不对称的螯合单元。还分析了单核分子硝酸银(i)硝酸银配合物[(Ph 3 P)2 Ag(O 2 NO)](9α)及其甲苯单溶剂化物的两个多晶型物(11α, β)。在在9α中,两个PPh 3配体具有相同的手性,而在11α中,β是相反的。通过量子力学孤立分子计算表明,尽管实验
  • METHOD OF MANUFACTURING AN ELECTROMAGNETIC INTERFERENCE SHIELDING LAYER
    申请人:Heraeus Deutschland GmbH & Co KG
    公开号:EP3648161A1
    公开(公告)日:2020-05-06
    The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor package, which is at least in part covered by an electromagnetic interference shielding layer, comprising at least these steps: i. Providing the semiconductor package and an ink composition; wherein the ink composition comprises at least these constituents: a) A compound comprising at least one metal precursor; b) At least one organic compound; and ii. Applying at least a part of the ink composition onto the semiconductor package, wherein a precursor layer is formed; iii. Treating the precursor layer with an irradiation of a peak wavelength in the range from 100 nm to 1 mm, and to a semiconductor package comprising an electromagnetic interference shielding layer comprising at least one metal, wherein the semiconductor package is obtainable by the aforementioned method. The present invention relates also to a semiconductor package comprising a electromagnetic interference shielding layer, wherein the specific conductance of the first layer of electromagnetic interference shielding material is in the range from 5 to 90 % of bulk metal; and wherein the thickness of the first layer of electromagnetic interference shielding material is in the range from 5 nm to 5 µm. The present invention relates further to some uses of an ink composition.
    本发明涉及一种至少部分由电磁干扰屏蔽层覆盖的半导体封装的制造方法,该方法至少包括以下步骤: i. 提供半导体封装和油墨组合物;其中油墨组合物至少包括以下成分: a) 由至少一种属前体组成的化合物; b) 至少一种有机化合物;以及 ii.将至少一部分油墨组合物涂在半导体封装上,其中形成前驱体层; iii.用峰值波长在 100 nm 至 1 mm 范围内的辐照处理前驱体层,以及包含由至少一种属组成的电磁干扰屏蔽层的半导体封装,其中半导体封装可通过上述方法获得。本发明还涉及一种包含电磁干扰屏蔽层的半导体封装,其中第一层电磁干扰屏蔽材料的比电导率在块状属的 5% 至 90% 之间;第一层电磁干扰屏蔽材料的厚度在 5 nm 至 5 µm 之间。本发明还涉及油墨组合物的一些用途。
  • US4297488A
    申请人:——
    公开号:US4297488A
    公开(公告)日:1981-10-27
  • US4324890A
    申请人:——
    公开号:US4324890A
    公开(公告)日:1982-04-13
  • US4342757A
    申请人:——
    公开号:US4342757A
    公开(公告)日:1982-08-03
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