Phenyldimethylsilylradikal | 32512-19-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: Phenyldimethylsilylradikal
• 英文别名: dimethyl-phenyl-silanyl；Dimethylphenylsilane
• CAS: 32512-19-9
• 化学式: C₈H₁₁Si
• 分子量: 135.261
• InChiKey: OIKHZBFJHONJJB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.65
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.25
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  苯基二甲基氯硅烷 在 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 Phenyldimethylsilylradikal
  参考文献：
  名称：

  氯硅烷的电子诱导解离：芳族侧基在气相和溶液化学中的作用

  摘要：

  摘要 研究了三甲基氯硅烷 (Me3SiCl) 和氯二甲基苯基硅烷 (PhMe2SiCl) 上的解离电子附着 (DEA)，以揭示芳族侧基对 Si Cl 键解离的可能增强作用。计算表明苯环的最低未占据 π* 轨道与 σ*(Si Cl) 轨道之间存在相关相互作用，从而导致最低能量电子连接通道的降低。之前有报道称，这种情况会导致 DEA 的显着增强。然而，所研究的氯硅烷中能量最低的 DEA 通道低于自由基阴离子中 Si Cl 键解离的热力学极限，因此不能对 Cl- 产率做出贡献。结果，氯离子的释放实际上是主要的碎裂通道，但在 PhMe2SiCl 中 Cl- 产率没有明显提高。与 DEA 结果相反，在相同条件下 Me3SiCl、PhMe2SiCl 和苄基二甲基氯硅烷 (BzMe2SiCl) 在 THF 中还原偶联的比较实验表明，芳族侧基显着增强了反应性。由于这一发现与 DEA 结果无关，基于它们的垂

  DOI：

  10.1016/j.ijms.2013.12.011

文献信息

• LASER-PHOTOLYSIS STUDY OF ARYL-SUBSTITUTED SILYL AND STANNYL ANIONS
  作者：Kunio Mochida、Masanobu Wakasa、Yoshio Sakaguchi、Hisaharu Hayashi

  DOI：10.1246/cl.1986.773

  日期：1986.5.5

  Photochemical primary processes of aryl-substituted silyl and stannyl anions were studied at room temperature. The silyl and stannyl radicals generated were observed directly by laser-photolysis.

  在室温下研究了芳基取代的甲硅烷基和甲硅烷基阴离子的光化学初级过程。通过激光光解直接观察产生的甲硅烷基和甲锡烷基自由基。
• Electron-induced dissociation of chlorosilanes: Role of aromatic side groups in gas phase and solution chemistry
  作者：E. Böhler、J. Postler、D. Gschliesser、T. Borrmann、P. Scheier、S. Denifl、J. Beckmann、P. Swiderek

  DOI：10.1016/j.ijms.2013.12.011

  日期：2014.5

  chlorotrimethylsilane (Me3SiCl) and chlorodimethylphenylsilane (PhMe2SiCl) was studied to reveal a possible enhancing effect of the aromatic side group on the Si Cl bond dissociation. Calculations point to a relevant interaction between the lowest unoccupied π* orbital of the phenyl ring and the σ*(Si Cl) orbital and a consequent lowering of the lowest-energy electron attachment channel. It was previously

  摘要 研究了三甲基氯硅烷 (Me3SiCl) 和氯二甲基苯基硅烷 (PhMe2SiCl) 上的解离电子附着 (DEA)，以揭示芳族侧基对 Si Cl 键解离的可能增强作用。计算表明苯环的最低未占据 π* 轨道与 σ*(Si Cl) 轨道之间存在相关相互作用，从而导致最低能量电子连接通道的降低。之前有报道称，这种情况会导致 DEA 的显着增强。然而，所研究的氯硅烷中能量最低的 DEA 通道低于自由基阴离子中 Si Cl 键解离的热力学极限，因此不能对 Cl- 产率做出贡献。结果，氯离子的释放实际上是主要的碎裂通道，但在 PhMe2SiCl 中 Cl- 产率没有明显提高。与 DEA 结果相反，在相同条件下 Me3SiCl、PhMe2SiCl 和苄基二甲基氯硅烷 (BzMe2SiCl) 在 THF 中还原偶联的比较实验表明，芳族侧基显着增强了反应性。由于这一发现与 DEA 结果无关，基于它们的垂