硼掺杂的 π 共轭材料因其源自硼上空 p 轨道的有趣光物理特性而引起了人们的兴趣。特别是,三芳基硼烷单元的电子接受特性可用于开发缺电子π共轭材料,例如有机n型半导体。另一方面,砜和亚砜也是缺电子物种,可以通过相应硫化物的氧化轻松制备。在这项工作中,我们制备了具有不同硫原子氧化态的新型噻吩稠合硫硼苷共轭结构单元。新的结构单元具有独特的光物理性质,这些性质取决于硫原子的氧化态。特别是,该砜化合物表现出的LUMO能级明显低于相应的二噻吩基硼烷和二噻吩基噻吩S,S-二氧化物的LUMO能级,这表明硼和砜的组合增强了电子接受性能。此外,砜单元可以通过Stille交叉偶联反应进行修饰,展示了其在其他功能性p-π*共轭材料中的潜在用途。
硼掺杂的 π 共轭材料因其源自硼上空 p 轨道的有趣光物理特性而引起了人们的兴趣。特别是,三芳基硼烷单元的电子接受特性可用于开发缺电子π共轭材料,例如有机n型半导体。另一方面,砜和亚砜也是缺电子物种,可以通过相应硫化物的氧化轻松制备。在这项工作中,我们制备了具有不同硫原子氧化态的新型噻吩稠合硫硼苷共轭结构单元。新的结构单元具有独特的光物理性质,这些性质取决于硫原子的氧化态。特别是,该砜化合物表现出的LUMO能级明显低于相应的二噻吩基硼烷和二噻吩基噻吩S,S-二氧化物的LUMO能级,这表明硼和砜的组合增强了电子接受性能。此外,砜单元可以通过Stille交叉偶联反应进行修饰,展示了其在其他功能性p-π*共轭材料中的潜在用途。