Furan-2,5-dione; 5-methylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene | 30600-22-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: Furan-2,5-dione; 5-methylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene
• 英文别名: furan-2,5-dione;5-methylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene
• CAS: 30600-22-7
• 化学式: C12H12O3
• 分子量: 204.22
• InChiKey: OEHXBANTLQUTJS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.76
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.33
• 拓扑面积：
  43.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  、 、 、 马来酸酐 、 四氢呋喃 在 偶氮二异丁腈 氮气 、 resultant polymer 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 反应 8.0h， 以to give 37.5 g of a 5-methylenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene/maleic anhydride copolymer (1a) (yield 92%)的产率得到Furan-2,5-dione; 5-methylidenebicyclo[2.2.1]hept-2-ene
  参考文献：
  名称：

  Method for pattern formation and process for preparing semiconductor device

  摘要：

  一种负型图案形成在包括ArF准分子激光波长193 nm的远紫外区域，尽管其化学结构具有高干法刻蚀性，但不会膨胀且具有出色的分辨率。采用酸催化反应，其中&ggr;-羟基或&dgr;-羟基羧酸结构部分或全部转化为&ggr;-内酯或&dgr;-内酯结构。负型图案使用水性碱溶液进行显影，不会膨胀。

  公开号：

  US06489082B1

文献信息

• Method for pattern formation and process for preparing semiconductor
  申请人：Hitachi, Ltd.

  公开号：US06017680A1

  公开（公告）日：2000-01-25

  A negative pattern is formed to be transparent in the far ultraviolet region including the wavelength 193 nm of an ArF excimer laser and, despite its chemical structure having high dry etching, does not swell and has excellent resolution. An acid-catalyzed reaction is utilized wherein a .gamma.-hydroxy or .delta.-hydroxy carboxylic acid structure is partially or entirely converted to a .gamma.-lactone or .delta.-lactone structure. The negative pattern is developed with an aqueous alkali solution without swelling.

  一种负型图案形成在包括ArF准分子激光器波长193nm的远紫外区域中，尽管它的化学结构具有高干法刻蚀，但不会膨胀，并具有出色的分辨率。利用酸催化反应，其中.gamma.-羟基或.delta.-羟基羧酸结构部分或全部转化为.gamma.-内酯或.delta.-内酯结构。该负型图案使用水性碱溶液进行显影而不会膨胀。
• Method for pattern formation and process for preparing semiconductor device
  申请人：Hitachi, Ltd.

  公开号：US20030099905A1

  公开（公告）日：2003-05-29

  A negative pattern is formed to be transparent in the far ultraviolet region including the wavelength 193 nm of an ArF excimer laser and, despite its chemical structure having high dry etching, does not swell and has excellent resolution. An acid-catalyzed reaction is utilized wherein a &ggr;-hydroxy or &dgr;-hydroxy carboxylic acid structure is partially or entirely converted to a &ggr;-lactone or &dgr;-lactone structure. The negative pattern is developed with an aqueous alkali solution without swelling.

  一种负型图案形成在包括ArF准分子激光的193纳米波长的远紫外区域中，尽管其化学结构具有高干法蚀刻性，但不会膨胀并具有出色的分辨率。利用酸催化反应，其中&ggr;-羟基或&dgr;-羟基羧酸结构部分或完全转化为&ggr;-内酯或&dgr;-内酯结构。该负型图案可以使用水性碱溶液开发，而不会膨胀。