分子电子学提供了通过单个分子的基本电子特性来控制设备功能的潜力,但是当这种特殊的分子被集成到更大面积的设备中时,这种可能性的实现通常会受挫。在这里,我们利用高度共轭(porphinato)
金属基低聚物(PM(n) 结构)作为纳米转移印刷 (nTP) 分子连接的分子线组件;这些“大容量”nTP 器件的电气特性突出了取决于 PM(n) 导线长度的器件电阻。器件电阻测量,确定为 PM(n) 分子长度的函数,用于评估与跨越屏障的电阻衰减参数对应的现象学 β 的大小;这些数据表明,这个 β 值的大小是通过
卟啉大环中心
金属原子取代 [β(
PZn(n); 0.065 Å(-1)) < β(PCu(n); 0.132 Å(-1)) < β(PNi(n); 0.176 Å(-1))]。循环伏安数据和在金表面进行的紫外光电子光谱研究表明,这些 nTP 器件电阻跟踪 PM(n) 导线的价带能级,这些能级通过
卟啉