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1-[1,1,2,2,3,3-Hexafluoro-3-(3-iodophenyl)propyl]-3-iodobenzene | 18449-96-2

中文名称
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中文别名
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英文名称
1-[1,1,2,2,3,3-Hexafluoro-3-(3-iodophenyl)propyl]-3-iodobenzene
英文别名
——
1-[1,1,2,2,3,3-Hexafluoro-3-(3-iodophenyl)propyl]-3-iodobenzene化学式
CAS
18449-96-2
化学式
C15H8F6I2
mdl
——
分子量
556.028
InChiKey
URTKLOJVHKLAEV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    6.5
  • 重原子数:
    23
  • 可旋转键数:
    4
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.2
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    6

反应信息

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文献信息

  • Stacked film, insulating film and substrate for semiconductor
    申请人:JSR CORPORATION
    公开号:US20030077461A1
    公开(公告)日:2003-04-24
    A stacked film for semiconductor having superior adhesion to a coating film formed by a CVD process in, for example, semiconductor devices, an insulating film having the stacked film and a substrate for semiconductor using the insulating film are disclosed. The stacked film comprises (A) a film of an organic compound having a carbon content of 60% by weight or more and (B) a film prepared by heating a hydrolytic condensate obtained by hydrolysis and condensation of at least one compound selected from the group consisting of specific compounds represented by the general formulae (51) to (54) described hereinabove.
    本发明公开了一种在半导体器件等中与通过 CVD 工艺形成的涂膜具有优异附着力的半导体用叠层膜、具有该叠层膜的绝缘膜以及使用该绝缘膜的半导体用基板。叠层膜包括(A)碳含量大于等于 60%(重量百分比)的有机化合物膜和(B)通过加热至少一种选自上述通式(51)至(54)所代表的特定化合物的解缩合物而制备的膜。
  • Stacked film insulating film and substrate for semiconductor
    申请人:JSR Corporation
    公开号:EP1298176B1
    公开(公告)日:2007-01-03
  • US6824833B2
    申请人:——
    公开号:US6824833B2
    公开(公告)日:2004-11-30
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