unit. In addition, for the HT-phase all the dimers show this disorder. This compound undergoes a metal−semiconductor transition at TM−S = 235 K. The presence of diffuse streaks corresponding to 2-fold −Pt−Pt−I− periodicity in the HT and RT phases indicates dynamic valence ordering of the type —Pt2+—Pt2+—I−-Pt3+-Pt3+-I−—or—Pt2+−Pt3+-I−-Pt3+−Pt2+—I−—. For the LT-phase the diffuse scattering is condensed
我们使用单晶X射线衍射和扩散散射,室温下的电输运和磁性能以及一些光学性能,对晶体结构对温度的依赖性进行了全面研究,以阐明多重研磨的起源和形式。在先前对MMX链化合物的热容量[Pt II / III 2(n -PenCS 2)4 I] ∞的研究中证明的状态。目前的结果证实了两个相变的存在,一个是在207 K时可逆的一阶可逆,另一个是在324 K时不可逆的单向性,将低温(LT),室温(RT)和高温(HT)相分离。由于存在于属于中央双
铂单元的二
硫代羧基基团和正戊基基团所表现出的结构紊乱,因此晶胞在RT和HT相中表现出-Pt-Pt-I-的3倍周期性。另外,对于HT相,所有二聚体都显示出这种紊乱。该化合物在T M-S = 235 K处经历
金属-半导体跃迁。在HT和RT相中存在对应于2倍-Pt-Pt-I-周期性的弥散条纹,表明-Pt类型的动态价序2+ -Pt 2+ -I - -Pt 3+ -Pt 3+