Growth of electromigration-induced hillocks in Al interconnects
摘要:
对多晶铝片中电迁移诱导的丘状生长进行了广泛研究。由柱状晶粒组成的小丘在阳极附近生长,是通过在铝和底层 TiN 层之间的界面上外延添加铝来实现的,这推高了原始铝膜。小丘从最初的 (111) 面外取向旋转开来,其旋转方式与小丘表面的物理旋转一致。我们观察到了楔形和圆形小丘,它们的形成可以用晶粒挤压和晶粒生长之间的相互作用来解释。通过对热诱导和电迁移诱导的小丘研究的回顾所阐明的趋势可以用本研究中确定的机制来解释。