N,N'-bis(phenylethyl)-2,7-dibromonaphthalene-1,8;4,5-tetracarboximide | 943148-74-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡啶及其衍生物
• 英文名称: N,N'-bis(phenylethyl)-2,7-dibromonaphthalene-1,8;4,5-tetracarboximide
• 英文别名: 2,10-Dibromo-6,13-bis(2-phenylethyl)-6,13-diazatetracyclo[6.6.2.04,16.011,15]hexadeca-1,3,8,10,15-pentaene-5,7,12,14-tetrone
• CAS: 943148-74-1
• 化学式: C₃₀H₂₀Br₂N₂O₄
• 分子量: 632.308
• InChiKey: NUTKZVMTRTWHJX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.4
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.13
• 拓扑面积：
  74.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  2-苯乙胺 、 四(4-甲酰基苯基)硅烷 以 xylene 为溶剂， 反应 7.0h， 生成 N,N'-bis(phenylethyl)-2,6-dibromonaphthalene-1,8;4,5-tetracarboximide 、 N,N'-bis(phenylethyl)-2,7-dibromonaphthalene-1,8;4,5-tetracarboximide
  参考文献：
  名称：

  Naphthalenetetracarboxylic Aicd Derivatives and their Use as Semiconductors

  摘要：

  本发明涉及萘四羧酸衍生物，其制备方法及其用途，特别是作为n型半导体。

  公开号：

  US20080300405A1

文献信息

• NAPHTHALINTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS HALBLEITER
  申请人：BASF SE

  公开号：EP2532663A1

  公开（公告）日：2012-12-12

  Die vorliegende Erfindung betrifft Naphthalintetracarbonsäurederivate, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere als Halbleiter vom n-Typ.

  本发明涉及萘四甲酸衍生物、其制备工艺及其用途，特别是用作 n 型半导体。
• NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS
  申请人：Könemann Martin

  公开号：US20120059168A1

  公开（公告）日：2012-03-08

  The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivates, to a process for their preparation and to their use, especially as an n-type semiconductor.
• US8084603B2
  申请人：——

  公开号：US8084603B2

  公开（公告）日：2011-12-27
• US8309728B2
  申请人：——

  公开号：US8309728B2

  公开（公告）日：2012-11-13
• [DE] NAPHTHALINTETRACARBONSÄUREDERIVATE UND DEREN VERWENDUNG ALS HALBLEITER<br/>[EN] NAPHTHALENETETRACARBOXYLIC ACID DERIVATIVES AND THEIR USE AS SEMICONDUCTORS<br/>[FR] DERIVE DE L'ACIDE NAPHTALINE TETRACARBOXYLIQUE ET SON UTILISATION EN TANT QUE SEMI-CONDUCTEUR
  申请人：BASF AG

  公开号：WO2007074137A1

  公开（公告）日：2007-07-05

  [EN] The present invention relates to naphthalenetetracarboxylic acid derivatives of the general formula (I) in which at least one of the radicals R¹, R², R³ and R⁴ stands for a substituent selected from Br, F and CN, and the remaining radicals stand for hydrogen; Y¹ stands for O or NRa, with Ra standing for hydrogen or an organyl radical; Y² stands for O or NRb, with Rb standing for hydrogen or an organyl radical; Z¹ and Z² independently of one another stand for O or NR^c, with R^c standing for an organyl radical; and Z³ and Z⁴ independently of one another stand for O or NR^d, with R^d standing for an organyl radical; to a process for preparing them and to their use, more particularly as n-type semiconductors.
  [FR] La présente invention concerne un dérivé de l'acide naphtaline tétracarboxylique de formule générale (I), dans laquelle au moins un des radicaux R¹, R², R³ et R⁴ représente un substituant choisi parmi Br, F et CN, les radicaux restants représentant l'hydrogène, Y¹ représentant O ou NRa, Ra représentant l'hydrogène ou un radical organyle, Y² représentant O ou NRb, Rb représentant l'hydrogène ou un radical organyle, Z¹ et Z² représentant indépendamment l'un de l'autre O ou NR^c, R^c représentant un radical organyle, Z³ et Z⁴ représentant indépendamment l'un de l'autre O ou NR^d, R^d représentant un radical organyle. L'invention concerne également un procédé de fabrication de ce dérivé et son utilisation, notamment en tant que semi-conducteur de type n.
  [DE] Die vorliegende Erfindung betrifft Naphthalintetracarbonsäurederivate, der allgemeinen Formel (I) wobei wenigstens einer der Reste R¹, R², R³ und R⁴ für einen Substituenten steht, der ausgewählt ist unter Br, F und CN, und die übrigen Reste für Wasserstoff stehen Y¹ für O oder NRa steht, wobei Ra für Wasserstoff oder einen Organylrest steht, Y² für O oder NRb steht, wobei Rb für Wasserstoff oder einen Organylrest steht, Z¹ und Z² unabhängig voneinander für O oder NR^c stehen, wobei R^c für einen Organylrest steht, Z³ und Z⁴ unabhängig voneinander für O oder NR^d stehen, wobei R^d für einen Organylrest steht, ein Verfahren zu ihrer Herstellung und deren Verwendung, insbesondere ais Halbleiter vom n-Typ.