描述了一种直接的合成方法,该方法利用线性和角形
萘二
噻吩 (NDT) 作为有机半导体的新核心结构的潜力。新建立的合成程序包括两个重要步骤;一种是
溴位点上的三
氟甲磺酰氧基位点上的
化学选择性 Sonogashira 偶联反应,能够选择性地在
萘核上形成邻
溴乙炔基苯亚结构,另一种是来自邻
溴乙炔基苯亚结构的稠合
噻吩环的简便闭环反应。结果,三种异构无损检测,
萘并[2,3-b:6,7-b']二
噻吩、
萘并[2,3-b:7,6-b']二
噻吩和
萘并[2,1-b :6,5-b']二
噻吩是选择性合成的。母体无损检测的电
化学和光学测量表明,分子的形状在决定化合物的电子结构方面起着重要作用;与
并四苯等电子的线形无损检测相比,与
并四苯等电子的角形无损检测具有更低的氧化电位和更多的红移吸收带。相反,使用二辛基或二苯基衍
生物的薄膜场效应晶体管(FET)的性能受分子对称性的影响很大;中心对称衍
生物往往比轴对称衍
生物(~0.06