9,10-dimethoxyanthracene-2-carboxylic acid

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 9,10-dimethoxyanthracene-2-carboxylic acid
• 英文别名: 9,10-Dimethoxyanthracene-2-carboxylic acid
• 化学式: C₁₇H₁₄O₄
• 分子量: 282.296
• InChiKey: CADAATANHSPSQT-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.9
• 重原子数：
  21
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.12
• 拓扑面积：
  55.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  9,10-dimethoxyanthracene-2-carboxylic acid 在 ammonium cerium (IV) nitrate 、 N,N'-二环己基碳二亚胺 作用下， 以 二氯甲烷 、 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 4.83h， 生成 2-(3-ethyl-1,2,4-oxadiazol-5-yl)anthracene-9,10-dione
  参考文献：
  名称：

  恶二唑取代的萘并[2,3-b]噻吩-4,9-二酮类化合物是角质形成细胞过度增殖的有效抑制剂。三环醌骨架和恶二唑取代基的构效关系。

  摘要：

  合成了恶二唑取代的萘并[2,3-b]噻吩-4,9-二酮的新型类似物，其中三环醌骨架被较简单的部分系统取代，例如结构较少的环和开链形式，而恶二唑环得以维持。另外，探索了原始的1,2,4-恶二唑环的变体。总的来说，完整的三环醌对于有效抑制人角质形成细胞的过度增殖至关重要，而类似的蒽醌则没有活性。而且，恶二唑环本身不足以引起活性。但是，恶二唑环中杂原子位置的重排导致了高效抑制剂，化合物24b是该系列中最有效的类似物，在纳摩尔范围内显示出IC50。此外，

  DOI：

  10.1016/j.ejmech.2017.03.084
• 作为产物：
  描述：

  蒽醌-2-羧酸 在 sodium dithionite 、 四丁基溴化铵 、 sodium hydroxide 作用下， 以 四氢呋喃 、 甲醇 、 水 为溶剂， 反应 9.0h， 生成 9,10-dimethoxyanthracene-2-carboxylic acid
  参考文献：
  名称：

  恶二唑取代的萘并[2,3-b]噻吩-4,9-二酮类化合物是角质形成细胞过度增殖的有效抑制剂。三环醌骨架和恶二唑取代基的构效关系。

  摘要：

  合成了恶二唑取代的萘并[2,3-b]噻吩-4,9-二酮的新型类似物，其中三环醌骨架被较简单的部分系统取代，例如结构较少的环和开链形式，而恶二唑环得以维持。另外，探索了原始的1,2,4-恶二唑环的变体。总的来说，完整的三环醌对于有效抑制人角质形成细胞的过度增殖至关重要，而类似的蒽醌则没有活性。而且，恶二唑环本身不足以引起活性。但是，恶二唑环中杂原子位置的重排导致了高效抑制剂，化合物24b是该系列中最有效的类似物，在纳摩尔范围内显示出IC50。此外，

  DOI：

  10.1016/j.ejmech.2017.03.084

文献信息

• EP1730592A4
  申请人：——

  公开号：EP1730592A4

  公开（公告）日：2008-03-26
• PERMANENT RESIST COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF, AND USE THEREOF
  申请人：MicroChem Corp.

  公开号：EP1730592A2

  公开（公告）日：2006-12-13
• EPOXY FORMULATIONS AND PROCESSES FOR FABRICATION OF RELIEF PATTERNS ON LOW SURFACE ENERGY SUBSTRATES
  申请人：MicroChem Corp.

  公开号：EP2753662B1

  公开（公告）日：2020-06-24
• [EN] PERMANENT RESIST COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF, AND USE THEREOF<br/>[FR] COMPOSITION DE RESIST PERMANENTE, PRODUIT DURCI A PARTIR DE CETTE COMPOSITION, ET UTILISATION CORRESPONDANTE
  申请人：MICROCHEM CORP

  公开号：WO2005079330A2

  公开（公告）日：2005-09-01

  A permanent photoresist composition comprising: (A) one or more bisphenol A-novolac epoxy resins according to Formula I; wherein each group R in Formula I is individually selected from glycidyl or hydrogen and k in Formula I is a real number ranging from 0 to about 30; (B) one or more epoxy resins selected from the group represented by Formulas BIIa and BIIb; wherein each R1, R2 and R3 in Formula BIIa are independently selected from the group consisting of hydrogen or alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms and the value of p in Formula BIIa is a real number ranging from 1 to 30; the values of n and m in Formula BIIb are independently real numbers ranging from 1 to 30 and each R4 and R5 in Formula BIIb are independently selected from hydrogen, alkyl groups having 1 to 4 carbon atoms, or trifluoromethyl; (C) one or more cationic photoinitiators (also known as photoacid generators or PAGs); and (D) one or more solvents.
• [EN] EPOXY FORMULATIONS AND PROCESSES FOR FABRICATION OF RELIEF PATTERNS ON LOW SURFACE ENERGY SUBSTRATES<br/>[FR] FORMULATIONS D'ÉPOXYDE ET PROCÉDÉS DE FORMATION DE MOTIFS EN RELIEF SUR DES SUBSTRATS DE FAIBLE ÉNERGIE DE SURFACE
  申请人：MICROCHEM CORP

  公开号：WO2013036502A1

  公开（公告）日：2013-03-14

  The present invention is directed to a permanent epoxy photoresist composition useful for making negative-tone, permanent photoresist relief patterns on low surface energy polymer substrates, comprising: (A) one or more epoxy resins according to Formulas I- VI, (B) one or more cationic photoinitiators; (C) one or more film casting solvents; and (D) one or more fluorinated compounds. The present invention is also directed to methods of forming a permanent photoresist relief pattern on a low surface energy polymer substrate using the disclosed composition.