η1-C5Me5GaCl2 | 105139-46-6

• 分子结构分类: 有机化合物
• 英文名称: η1-C5Me5GaCl2
• 英文别名: (Pentamethylcyclopentadienyl)gallium dichloride；dichloro-(1,2,3,4,5-pentamethylcyclopenta-2,4-dien-1-yl)gallane
• CAS: 105139-46-6
• 化学式: C₁₀H₁₅Cl₂Ga
• 分子量: 275.858
• InChiKey: KMSAMBSZJPTTFA-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.4
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  η1-C5Me5GaCl2 在 sodium naphthalenide 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 tris(pentamethylcyclopentadienyl)gallium(III)
  参考文献：
  名称：

  三（五甲基环戊二烯基）镓（III）的合成

  摘要：

  DOI：

  10.1021/om00144a031

文献信息

• Synthesis and Structure of Novel Complexes of Gallium
  作者：Eva Leiner、Oliver Hampe、Manfred Scheer

  DOI：10.1002/1099-0682(200203)2002:3<584::aid-ejic584>3.0.co;2-j

  日期：2002.3

  KCp* and KCl to form the novel ionic complexes [K(toluene)2][GaCo2(CO)6(-CO)}2] (1) and K[GaClCo2(CO)6(-CO)}Co(CO)4}] (2), where the gallium atoms possess the coordination number four. The reaction of [Co(CO)4}2GaCl(THF)] with LiCp* leads to the ionic product [Li(THF)][GaCo2(CO)6(-CO)}2] (3). The [GaCo2(CO)6(-CO)}2]- anions of 1 and 3 represent the first homoleptic spirocyclic coordination mode

  [Cp*GaCl2] (Cp* = 1-C5Me5) 与 K[Co(CO)4] 反应，消除 KCp* 和 KCl，形成新型离子复合物 [K(甲苯)2][GaCo2(CO) 6(-CO)}2] (1) 和 K[GaClCo2(CO)6(-CO)}Co(CO)4}] (2)，其中镓原子的配位数为 4。[Co(CO)4}2GaCl(THF)] 与 LiCp* 的反应生成离子产物 [Li(THF)][GaCo2(CO)6(-CO)}2] (3)。1 和 3 的 [GaCo2(CO)6(-CO)}2]- 阴离子代表镓的第一个均配螺环配位模式。GaCl3 与 Na2[Fe(CO)4] 反应生成离子化合物 [Na(OEt2)2][Fe(CO)4(GaCl3)2] (4)。配合物 1、2、3 和 4 通过 X 射线结构分析和红外光谱表征。此外，在不同锥电压下记录了 1 的 ESI 质谱，其中观察到阴离子
• Synthesis of Gallium Chalcogenide Cubanes and Their Use as CVD Precursors for Ga₂E₃ (E = S, Se)
  作者：Stephan Schulz、Edward G. Gillan、Jean L. Ross、Lillian M. Rogers、Robin D. Rogers、Andrew R. Barron

  DOI：10.1021/om960480w

  日期：1996.10.29

  The gallium-chalcogen heterocubanes [Cp*Ga(mu(3)-E)](4), E = S (1) and Se (2), and [Cp(+)Ga(mu(3)-Se)](4) (3) have been synthesized by dehalosilylation reactions between E(SiMe(3))(2) (E = S, Se) and RGaCl(2), R = Cp*(C(5)Me(5)) and Cp(+) (C(5)Me(4)Et), and are characterized by elemental analyses, NMR spectroscopy, and mass spectrometry. The use of compounds 1 and 2 as single-source MOCVD precursors for the low-temperature growth of Ga(2)E(3) films at 290-310 degrees C is described. The as-deposited films were amorphous; however, upon thermal annealing (500 degrees C) the films crystallized to the thermodynamic cubic phases, while the corresponding tellurium analog decomposed in the solid state at 220 degrees C forming a gallium-rich product.
• BEACHLEY O. T.; HALLOCK R. B., ORGANOMETALLICS, 6,(1987) N 1, 170-172
  作者：BEACHLEY O. T.、 HALLOCK R. B.

  DOI：——

  日期：——