pyrene-1,4-(SO3H)2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 芘
• 英文名称: pyrene-1,4-(SO3H)2
• 英文别名: Pyrene-1,4-disulfonic acid；pyrene-1,4-disulfonic acid
• 化学式: C₁₆H₁₀O₆S₂
• 分子量: 362.384
• InChiKey: OUVSCCABVGWVDK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  126
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  芘 在 三氧化硫 作用下， 以 硝基甲烷 为溶剂， 以55%的产率得到pyrene-1,3-(SO3H)2
  参考文献：
  名称：

  Cerfontain, Hans; Laali, Khosrow; Lambrechts, Hans J. A., Recueil des Travaux Chimiques des Pays-Bas, 1983, vol. 102, # 4, p. 210 - 214

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Pattern formation methods and photoresist pattern overcoat compositions
  申请人：Rohm and Haas Electronic Materials LLC

  公开号：US11003074B2

  公开（公告）日：2021-05-11

  A pattern formation method, comprising: (a) providing a semiconductor substrate; (b) forming a photoresist pattern over the semiconductor substrate, wherein the photoresist pattern is formed from a photoresist composition comprising: a first polymer comprising acid labile groups; and a photoacid generator; (c) coating a pattern overcoat composition over the photoresist pattern, wherein the pattern overcoat composition comprises a second polymer and an organic solvent, wherein the organic solvent comprises one or more ester solvents, wherein the ester solvent is of the formula R1—C(O)O—R2, wherein R1 is a C3-C6 alkyl group and R2 is a C5-C10 alkyl group; (d) baking the coated photoresist pattern; and (e) rinsing the coated photoresist pattern with a rinsing agent to remove the second polymer. The methods find particular applicability in the manufacture of semiconductor devices.

  一种图案形成方法，包括：(a) 提供半导体衬底；(b) 在半导体衬底上形成光刻胶图案，其中光刻胶图案由光刻胶组合物形成，光刻胶组合物包括包含可酸基团的第一种聚合物；以及光酸发生器； (c) 在光刻胶图案上涂覆图案涂层组合物，其中图案涂层组合物包含第二种聚合物和有机溶剂，其中有机溶剂包含一种或多种酯溶剂，其中酯溶剂的式为 R1-C(O)O-R2，其中 R1 为 C3-C6 烷基，R2 为 C5-C10 烷基；(d) 烘烤涂层光刻胶图案；以及 (e) 用漂洗剂漂洗涂层光刻胶图案，以去除第二种聚合物。这些方法特别适用于半导体器件的制造。
• Cerfontain, Hans; Laali, Khosrow; Lambrechts, Hans J. A., Recueil des Travaux Chimiques des Pays-Bas, 1983, vol. 102, # 4, p. 210 - 214
  作者：Cerfontain, Hans、Laali, Khosrow、Lambrechts, Hans J. A.

  DOI：——

  日期：——