具有
噻吩基共聚单体的聚
锡锡诺在许多方面与聚
噻吩相似,但它们的带隙减小了很多。然而,它们的聚合过程还没有得到很好的研究。
噻吩可以被氧化电聚合,但是由于
锡酚是有机
金属,因此出现了一个基本问题,即它们在共轭主链中的存在是否可以充分保护它们以进行氧化电聚合。由于可以将定义明确的低聚
噻吩用作理解聚
噻吩的光学和电子性质的模型,因此我们将这一概念转移到了含
锡环的聚合物上。因此,我们合成了单体1和二聚体
噻吩侧接的
锡环2并在我们的分析中比较地研究了它们的光电性能,包括聚
苯乙烯锡酮和相应的低聚
噻吩。相对于单体1,一个显著红移吸收(λ最大= 510纳米,Δ = 93纳米)和一个小的光学带隙(ê克,选择(2)= 2.13电子伏特),接近聚合stannoles的带隙,是观察到的。与低聚
噻吩相比,这些
噻吩侧翼的
锡诺尔在吸收和发射方面表现出红移以及较低的氧化电位。尽管存在这些差异,但它们仍表现出类似寡聚
噻吩的电
化学行为