本发明属于光电材料应用科技领域,具体涉及具有
菲并
咪唑结构的热致延迟荧光材料、其应用及电致发光器件。该类材料是富含电子和空穴的
菲并
咪唑结构与
吩嗪结构通过芳香基团桥接形成,是一种同时满足辐射跃迁常数kr较大且单三重态能隙ΔEST较小的延迟荧光材料。密集的供体‑受体基团组合有效避免了器件的电子与空穴载流子密度失衡引发的三重态‑电荷反应能量损耗,从而改善器件降滚问题。此外,
菲并
咪唑结构和
吩嗪结构的设计有效增加轨道重叠的同时增加分子的刚性,从而抑制非辐射跃迁,有效提高器件发光效率,是一种优良的发光层客体材料和出光层材料,以及发光层主体材料。