1-Triaethylsilyl-4-(p-nitrophenyl)-buta-1,3-diin | 32117-61-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 英文名称: 1-Triaethylsilyl-4-(p-nitrophenyl)-buta-1,3-diin
• CAS: 32117-61-6
• 化学式: C₁₆H₁₉NO₂Si
• 分子量: 285.418
• InChiKey: JWINQFSRUXSNNI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  375.1±44.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.06±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.0
• 重原子数：
  20.0
• 可旋转键数：
  4.0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.38
• 拓扑面积：
  43.14
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1-Triaethylsilyl-4-(p-nitrophenyl)-buta-1,3-diin 在 Hay catalyst sodium hydroxide 作用下， 以 甲醇 、 水 、 丙酮 为溶剂， 反应 3.0h， 生成 p-amino-p'-nitrodiphenylhexatriyne
  参考文献：
  名称：

  通过共轭分子的电荷转移相互作用引起的异常结构扭曲：NH2(C6H4)(C.tplbond.C)n(C6H4)NO2 的晶体结构 (n = 0-3)

  摘要：

  对一系列供体-受体分子 O2NC6H4(C~C)、C6H4NH2 (n = 0-3) 进行了详细的结构分析，以通过共轭框架研究基态供体-受体相互作用。研究结果揭示了一种不寻常的键合模式，该模式无法通过键迁移通过共轭骨架产生的简单醌型共振结构充分解释。相反，电荷转移特性仅通过硝基苯基和氨基苯基官能团本身的醌类扭曲表现出来。提供了表明电荷转移的分子内起源的证据。必须参与电荷迁移的乙炔桥本身在结构上没有改变。这些观察得出的结论是，基态中的电荷转移特性不是高度离域的，而是导致电荷集中在受体轨道中。从 n = 1-3 的化合物中观察到弱粉末二次谐波的产生。这是相对于单晶 X 射线结构进行讨论的。

  DOI：

  10.1021/ja00206a001
• 作为产物：
  描述：

  三乙基矽乙炔 、 1-乙炔基-4-硝基苯 在 Hay catalyst 作用下， 以 丙酮 为溶剂， 生成 1-Triaethylsilyl-4-(p-nitrophenyl)-buta-1,3-diin
  参考文献：
  名称：

  通过共轭分子的电荷转移相互作用引起的异常结构扭曲：NH2(C6H4)(C.tplbond.C)n(C6H4)NO2 的晶体结构 (n = 0-3)

  摘要：

  对一系列供体-受体分子 O2NC6H4(C~C)、C6H4NH2 (n = 0-3) 进行了详细的结构分析，以通过共轭框架研究基态供体-受体相互作用。研究结果揭示了一种不寻常的键合模式，该模式无法通过键迁移通过共轭骨架产生的简单醌型共振结构充分解释。相反，电荷转移特性仅通过硝基苯基和氨基苯基官能团本身的醌类扭曲表现出来。提供了表明电荷转移的分子内起源的证据。必须参与电荷迁移的乙炔桥本身在结构上没有改变。这些观察得出的结论是，基态中的电荷转移特性不是高度离域的，而是导致电荷集中在受体轨道中。从 n = 1-3 的化合物中观察到弱粉末二次谐波的产生。这是相对于单晶 X 射线结构进行讨论的。

  DOI：

  10.1021/ja00206a001

文献信息

• Silylation as a protective method in Cadiot-Chodkiewicz couplings
  作者：R. Eastmond、D.R.M. Walton

  DOI：10.1016/0040-4020(72)80040-1

  日期：1972.1

  Other XC6H4(CC)nGeEt3 compounds (n = 2,3; excluding X = NO2) were also prepared by the Grignard method. Couplings between phenylacetylene and the reagents, BrCCSiMe3(V), and ICCSiR3 (R = Me, Et) give the appropriate silylated phenylbutadiynes in poor yield because of symmetrical oxidative coupling (iodo compounds) or of base-sensitivity of the trimethylsilyl-acetylene bonds.

  Cadiot-Chodkiewicz arylacetylenes的联接器（I），XC 6 H ^ 4 CCH（X = H;米-Br，-Me; p -F，-NO 2，-OMe）与溴乙炔基（三乙基）硅烷（II）， BrCCSiEt 3，得到甲硅烷基化二炔，XC 6 H ^ 4（CC）2 SIET 3，从该终端二炔（III），XC 6 H ^ 4 CC）2 H，通过与水性处理定量地释放甲醇碱。反过来II与III的反应生成甲硅烷基化三炔，XC 4 ħ 4 CC）3 SIET 3，用碱生成游离的芳基六炔，XC 6 H 4（CC）3 H（IV）。II，BrCCGeEt的锗类似物3，同样地夫妇I（X = H，p -NO 2），得到XC 6 H ^ 4（CC）2 GEET 3或III，得到XC 6 H ^ 4（C C）3 GeEt 3。产物（X = H）与从格氏试剂，C 6 H 5（CC）n
• Rates of base cleavage of X·C₆H₄·[CC]_n·MEt₃compounds (n= 2 and 3, M = Si and Ge), and their significance for theories of substituent effects
  作者：C. Eaborn、R. Eastmond、D. R. M. Walton

  DOI：10.1039/j29710000127

  日期：——

  The rates of cleavage of X·C6H4·[CC]n·MEt3 compounds (n= 2 and 3, M = Si and Ge) by aqueous-methanolic alkali at 29·6 °C have been measured spectrophotometrically. The ease of cleavage increases as n is raised; e.g., for the C6H5·[CC]n·SiEt3 compounds with n= 1, 2, and 3 the approximate relative rates are 1 : 240 : 4100. Germanium compounds are less reactive than the corresponding silicon compounds.The rates of cleavage of X·C6H4·[CC]3·SiEt3 compounds with X =p-OMe, H, p-F, m-Br, and p-NO2 correlate well with the simple Hammett substituent constants, σ, which normally refer to reactions involving markedly smaller distances between the substituent X and the reaction site. This casts some doubt on the validity of treatments of substituent effects which involve separation into (a) field effects which depend only on the distance between the substituent site and the reaction site, and (b) resonance effects which depend on the effectiveness of conjugation between the sites. Substituent constants calculated according to one such treatment (that by Dewar and Grisdale) are less satisfactory than σ-constants for the cleavages studied.

  采用分光光度法测量了 29·6 °C 的甲醇碱水溶液对 X·C6H4·[CC]n·MEt3 化合物（n= 2 和 3，M = Si 和 Ge）的裂解速率。随着n的增加，裂解的容易程度增加；例如，对于 n= 1、2 和 3 的 C6H5·[CC]n·SiEt3 化合物，近似相对速率为 1 : 240 : 4100。 锗化合物的反应性低于相应的硅化合物。 X 的裂解速率· ·[CC]3·SiEt3 化合物，其中 X =p-OMe、H、p-F、m-Br 和 p-NO2 与简单的 Hammett 取代基常数 σ 密切相关，该常数通常指涉及之间距离明显更小的反应取代基X和反应位点。这对取代基效应处理的有效性产生了一些疑问，取代基效应涉及分为（a）场效应，仅取决于取代基位点和反应位点之间的距离，以及（b）共振效应，取决于取代基位点和反应位点之间的共轭有效性。网站。根据一种此类处理（由 Dewar 和 Grisdale 进行）计算的取代基常数不如所研究的裂解的 σ 常数令人满意。