2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene-5,11-dione | 1345541-47-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: 2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene-5,11-dione
• 英文别名: 7,8,17,18-Tetrabutyl-6,16-dithiapentacyclo[11.7.0.03,11.05,9.015,19]icosa-1(13),3(11),4,7,9,14,17,19-octaene-2,12-dione
• CAS: 1345541-47-0
• 化学式: C₃₄H₄₀O₂S₂
• 分子量: 544.822
• InChiKey: RNTRFGHHOBMZHJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12.1
• 重原子数：
  38
• 可旋转键数：
  12
• 环数：
  5.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.47
• 拓扑面积：
  90.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene-5,11-dione 、 苯乙炔 在 正丁基锂 、 盐酸 、 tin(ll) chloride 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 、 水 为溶剂， 反应 2.0h， 以30%的产率得到5,11-bis(phenylethynyl)-2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene
  参考文献：
  名称：

  First Tetrabutylanthradithiophene (TBADT) Derivatives for Solution-Processed Thin-Film Transistors

  摘要：

  合成了三种新的可溶性四丁基蒽二硫醚（TBADT）基有机半导体，带有两个苯乙炔、噻吩-2-乙炔和噻吩[3,2-b]噻吩-5-乙炔取代基，并对其热、光学和电化学性质进行了表征。对这些化合物进行初步测试，通过滴铸法制备薄膜晶体管，显示出p通道TFT输运，孔迁移率高达1.5×10⁻³ cm²/Vs，电流开关比为10⁴。

  DOI：

  10.1055/s-0030-1261191
• 作为产物：
  描述：

  3-bromo-2-butylthiophene 在 盐酸 、 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 正丁基锂 、 溴 、 对甲苯磺酸 、 potassium hydroxide 、 lithium diisopropyl amide 作用下， 以 四氢呋喃 、 乙醇 、 正己烷 、 水 、 苯 为溶剂， 反应 13.5h， 生成 2,3,7,8-tetrabutylanthradithiophene-5,11-dione
  参考文献：
  名称：

  First Tetrabutylanthradithiophene (TBADT) Derivatives for Solution-Processed Thin-Film Transistors

  摘要：

  合成了三种新的可溶性四丁基蒽二硫醚（TBADT）基有机半导体，带有两个苯乙炔、噻吩-2-乙炔和噻吩[3,2-b]噻吩-5-乙炔取代基，并对其热、光学和电化学性质进行了表征。对这些化合物进行初步测试，通过滴铸法制备薄膜晶体管，显示出p通道TFT输运，孔迁移率高达1.5×10⁻³ cm²/Vs，电流开关比为10⁴。

  DOI：

  10.1055/s-0030-1261191