四rutheniumethynyl三芳基胺配合物1 - 4制备具有不同的芳基桥的核。复合物的立体结构2 - 4通过X射线单晶衍射分析完全证实。复合物的两个连续的单电子氧化过程1 - 4归因于
钌和氮中心,通过循环伏安法和方波伏安图所揭示的。结果还表明降低电位差Δ Ë复合物1,3和4,与最大值2。配合物
化学氧化后1– 4 x 1.0 eq氧化试剂FcPF 6或AgSbF 6,除2 +外,混合价络合物在UV-vis-NIR光谱实验中均表现出特征性的近红外吸收。通过TDDFT计算,将近红外吸收倍数分配给NAr 2 →RuCp *(dppe)间隔电荷转移(I
VCT)和
金属-
配体电荷转移跃迁。Hush理论的耦合参数(H ab)表明,1 +,3 +和4 +中的电子通讯增强。中性分子HOMO的电子密度分布(1,3和4)以及相应的单氧化态(1 +,3 +和4 +)的自旋密度分布随着芳族体系尺寸的增加而逐渐增加,证明了氧化过程中桥芯的贡献增加。