for long congeners. The electronic coupling parameter (Vab) was estimated by the Marcus–Hush analysis. The distance dependence plot of ln(Vab) versus the osmium–amine geometrical distance (Rab) gives a negative linear relationship with a decay slope of −0.19 Å–1, which is slightly steeper with respect to the previously reported ruthenium–amine series with the same molecular wire. DFT calculations with
已经制备了具有氧化还原活性的三芳基胺取代基的一系列双三齿环
金属化的complex络合物,其中胺取代基通过各种长度的对-低聚亚苯基线与from离子分开。配合物3(PF 6)和4(PF 6)的X射线晶体学数据)在离子和胺取代基之间具有三个或四个重复的苯基单元。这些配合物显示出两个连续的阳极氧化还原对(相对于Ag / AgCl)在+0.1和+0.9 V之间,电势分裂范围为300–390 mV。结合实验和理论研究表明,在单电子氧化状态下,奇数电子对于短同类物是离域的,而对于长同类物则位于on组分上。电子耦合参数(V ab)由Marcus-Hush分析估计。ln(V ab)与the-胺几何距离(R ab)的距离依赖性图给出了负线性关系,衰减斜率为−0.19Å –1,相对于先前报道的具有相同分子线的
钌-胺系列而言,略陡。与使用UB3LYP的those配合物相比,使用远距离校正的UCAM-B3LYP官能