摘要:
本文描述了形成介电薄膜的前体和方法。在一个方面,提供了具有以下化学式I的硅前体:其中R1独立选择自氢、直链或支链的C1至C6烷基、直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基、C1至C6烷氧基、C1至C6二烷基胺和电子吸引基团,n是从0、1、2、3、4和5中选择的数字;而R2独立选择自氢、直链或支链的C1至C6烷基、直链或支链的C2至C6烯基、直链或支链的C2至C6炔基、C1至C6烷氧基、C1至C6二烷基胺、C6至C10芳基、直链或支链的C1至C6氟代烷基和C4至C10环烷基。