substituents on the electronics of salen manganese nitride species and includes the first documentation of the para Hammett value for the tert-butoxy substituent (σpara = −0.13 ± 0.03). Each alkoxy-substituted complex undergoes metal-based oxidation to form manganese(VI), and the kinetics of bimolecular homocoupling to form N2 were assessed by cyclic voltammetry. Bis-oxidation of the manganese complexes
Salen
氮化锰配合物的
配体电子直接影响氧化位点,从而影响所得氧化物质的反应性。这项工作研究了叔丁氧基、异丙氧基和甲氧基取代基对 salen
氮化锰物种的电子学的影响,并包括对叔丁氧基取代基的对位哈米特值的第一个文档(σ para = -0.13 ± 0.03)。每个烷氧基取代的配合物都经过基于
金属的氧化形成
锰 (VI),以及双分子均偶联形成 N 2的动力学通过循环伏安法评估。使用循环伏安法和紫外-可见-近红外光谱在低温下研究了
锰配合物的双氧化,并结合理论计算,提供了合理的电子结构。