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1,2-bis(p-tolyl)disilane | 129821-88-1

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
1,2-bis(p-tolyl)disilane
英文别名
(4-Methylphenyl)-(4-methylphenyl)silylsilane
1,2-bis(p-tolyl)disilane化学式
CAS
129821-88-1
化学式
C14H18Si2
mdl
——
分子量
242.468
InChiKey
YNCDJBDMUBOSSV-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    299.1±43.0 °C(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.51
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.14
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    1,2-bis(p-tolyl)disilane正己烷甲苯 为溶剂, 反应 1.0h, 生成 1-(n-butyl)-2-(p-tolyl)disilane
    参考文献:
    名称:
    Long-chain alkanes with an internal H2SiSiH2 linkage
    摘要:
    1,2-Bis(p-tolyl)disilane (2) has been prepared through Wurtz-coupling of chloro(p-tolyl)silane using lithium metal. It was used as a precursor for 1,2-bis(trifluoromethanesulfonyloxy)disilane (1), which was obtained by treatment with two equivalents of trifluoromethanesulfonic acid. This intermediate was treated with n-BuLi, n-HexLi or n-OctMgBr to give the title compounds (n-CnH2n+1)SiH2SiH2(n-CnH2n+1) (n = 4,6,8), 4a-c. Treatment of 2 with only one equivalent of triflic acid gave p-TolSiH(2)SiH(2)OSO(2)CF(3) (5), which can be selectively converted into mixed alkyl-aryl-disilanes with LiR reagents, e.g. (n-Bu)SiH2SiH2(p-Tol), 6. The crystal structure of compound 2 has been determined by an X-ray diffraction study; it has a staggered trans-conformation with a crystallographic center of inversion.
    DOI:
    10.1016/0022-328x(96)06391-7
  • 作为产物:
    描述:
    Bromo-(4-methylphenyl)silanelithium 作用下, 以 乙醚 、 Petroleum ether 为溶剂, 反应 36.0h, 以55%的产率得到1,2-bis(p-tolyl)disilane
    参考文献:
    名称:
    Schwingungsspektren und Synthese einiger Phenyl- undp-Tolyldisilane
    摘要:
    DOI:
    10.1007/bf00809452
  • 作为试剂:
    描述:
    全氟-1-丁磺酸1,2-bis(p-tolyl)disilane 作用下, 以 甲苯 为溶剂, 以95%的产率得到
    参考文献:
    名称:
    类丁烷硅锗氢化物的合成:为富锗半导体的 CVD 提供前驱体
    摘要:
    类丁烷 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1)、(GeH(3))(2)SiH(SiH(3)) (2) 和 (2) 的合成GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3) Si-Ge 氢化物在低温合成富锗 Si(1-x)Ge(x) 光电合金中的应用证明了。通过 FTIR、多核 NMR、质谱、卢瑟福背散射和密度泛函理论 (DFT) 模拟研究了这些化合物的组成、振动、结构和热化学性质。分析表明线性 (GeH(3))(2)(SiH(2))(2) (1) 和 (GeH(3))(2)(SiH(2)GeH(2)) (3)化合物以经典的正常 (n) 和 gauche (g) 构象异构体的混合物形式存在,在 22 摄氏度时似乎不会相互转化。 样品中的构象比例是使用新的拟合程序确定的,它结合了计算出的分子光谱,通过改变个体构象异构体的全局强度、频率尺度和混合系数来重现观察到的分子光谱。然后利用
    DOI:
    10.1021/ja060428j
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