苯基锡烷-d3 | 354159-94-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 苯基锡烷-d3
• 英文名称: Phenylstannane-d3
• 英文别名: trideuterio(phenyl)stannane
• CAS: 354159-94-7
• 化学式: C₆H₈Sn
• 分子量: 201.816
• InChiKey: YIBWWKGXGCICAB-AMUARUGPSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.32
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二锗烷 、 苯基锡烷-d3 在 Si 、 H₂ 作用下， 以 neat (no solvent, gas phase) 为溶剂， 生成 lambda~2~-Stannane--germane (1/1)
  参考文献：
  名称：

  使用分子化学方法在 Ge-Sn 系统中合成硅基红外半导体

  摘要：

  基于新开发的氘稳定氢化锡 [(Ph)SnD(3)] 和 Ge(2)H(6) 的生长反应产生了一系列新的 Ge-Sn 半导体，具有可调带隙和高速潜在应用, 高效红外光电。Ge(1-x)Sn(x) 合金的亚稳态金刚石-立方薄膜是通过化学气相沉积在 350 摄氏度的 Si(100) 上创建的。尽管组成材料之间存在 17% 的晶格失配，但它们仍表现出前所未有的热稳定性和优异的结晶度。这些材料的组成、晶体结构、电子结构和光学特性通过卢瑟福背散射、高分辨率电子显微镜和 X 射线衍射以及拉曼、红外和光谱椭偏仪进行表征。电子衍射揭示了单晶和完美的外延层，其晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 之间。theta-2theta 模式下的 X 射线衍射显示出与随机合金相对应的明确定义的峰，(004) 反射的面内摇摆扫描证实了晶体镶嵌的紧密排列的扩展。包括角扫描在内的 RBS 离子通道证实 Sn 占据替代晶格位置，并且还提供了元素随着

  DOI：

  10.1021/ja0115058
• 作为产物：
  描述：

  lithium aluminium deuteride 、 苯基三氯化锡 以 乙醚 为溶剂， 以30%的产率得到苯基锡烷-d3
  参考文献：
  名称：

  使用分子化学方法在 Ge-Sn 系统中合成硅基红外半导体

  摘要：

  基于新开发的氘稳定氢化锡 [(Ph)SnD(3)] 和 Ge(2)H(6) 的生长反应产生了一系列新的 Ge-Sn 半导体，具有可调带隙和高速潜在应用, 高效红外光电。Ge(1-x)Sn(x) 合金的亚稳态金刚石-立方薄膜是通过化学气相沉积在 350 摄氏度的 Si(100) 上创建的。尽管组成材料之间存在 17% 的晶格失配，但它们仍表现出前所未有的热稳定性和优异的结晶度。这些材料的组成、晶体结构、电子结构和光学特性通过卢瑟福背散射、高分辨率电子显微镜和 X 射线衍射以及拉曼、红外和光谱椭偏仪进行表征。电子衍射揭示了单晶和完美的外延层，其晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 之间。theta-2theta 模式下的 X 射线衍射显示出与随机合金相对应的明确定义的峰，(004) 反射的面内摇摆扫描证实了晶体镶嵌的紧密排列的扩展。包括角扫描在内的 RBS 离子通道证实 Sn 占据替代晶格位置，并且还提供了元素随着

  DOI：

  10.1021/ja0115058

文献信息

• Simple chemical routes to diamond-cubic germanium–tin alloys
  作者：Jennifer Taraci、John Tolle、J. Kouvetakis、M. R. McCartney、David J. Smith、J. Menendez、M. A. Santana

  DOI：10.1063/1.1376156

  日期：2001.6.4

  We report the development of a simple chemical route to growing Ge1−xSnx semiconductors using ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition and the molecular precursor (Ph)SnD3 as the source of Sn atoms. Thin films were deposited on oxidized and oxide-free Si by reactions of (Ph)SnD3 with Ge2H6 at 350 °C. The composition, microstructure, and bonding properties of the films were characterized by Rutherford

  我们报告了使用超高真空化学气相沉积和分子前体 (Ph)SnD3 作为 Sn 原子源来生长 Ge1-xSnx 半导体的简单化学途径的发展。通过 (Ph)SnD3 与 Ge2H6 在 350°C 下的反应，在氧化和无氧化物的 Si 上沉积薄膜。通过卢瑟福背向散射、高分辨率分析电子显微镜和拉曼光谱对薄膜的组成、微观结构和粘合性能进行了表征。氧化硅上沉积的 Ge1-xSnx 显示出良好的结晶度，通过在 400°C 下退火可显着提高结晶度。高分辨率电子显微镜和衍射表明金刚石立方结构的晶格常数介于 Ge 和 α-Sn 的晶格常数之间。在纯 Si 上沉积的 Ge1-xSnx 是单晶和外延的。平面图和横截面的纳米探针分析表明，沉积态和退火态的材料均质，具有良好的化学纯度。拉曼光谱显示的波段对应...