tBuSiO)3V(thf)]3- (2) was obtained. Compound 2 displays the paramagnetic behavior expected for a d2-VIII high spin complex (SQUID measurements) with a triplet electronic ground state (ca. 30 kcal·mol-1 more stable than the singlet, from DFT calculations). Compound 2 proves to be a reliable model for reduced isolated-vanadium atom dispersed on silica surfaces [(≡Si-O)3VIII(OH2)], an intermediate that is often
在这里,我们报告了使用
硅烷醇修饰的聚氧
钨酸盐 [SbW9O33(tBuSiOH)3]3-(1) 作为分子载体来描述
钒原子在
二氧化硅表面单点处的配位。[V(Mes)3·thf](Mes = 2,4,6-三甲基苯基)与1在
四氢呋喃中反应,得到
钒(III)衍
生物[SbW9O33(tBuSiO)3V(thf)]3-(2) . 化合物 2 显示出 d2-VIII 高自旋复合物(SQUID 测量)的顺磁性行为,具有三重电子基态(根据 DFT 计算,比单重态更稳定约 30 kcal·mol-1)。化合物 2 被证明是分散在
二氧化硅表面 [(≡Si-O)3VIII(OH2)] 上的还原孤立
钒原子的可靠模型,这是一种经常在 Mars-van Krevelen 型机制中提出的用于部分氧化光的中间体
醇类。2 在空气中氧化产生氧代衍
生物 [SbW9O33(tBuSiO)3VO]3-(3)。在化合物 2 中,d2-电子位于简并