2-(2-乙氧基乙氧基)-N,N-二[2-(2-乙氧基乙氧基)乙基]乙胺 | 75888-21-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机氮化合物
• 中文名称: 2-(2-乙氧基乙氧基)-N,N-二[2-(2-乙氧基乙氧基)乙基]乙胺
• 英文名称: tris-(3,6-dioxa-octyl)amine
• 英文别名: tris(3,6-dioxaoctyl)amine；tris-[2-(2-ethoxy-ethoxy)-ethyl]-amine；Tris-[2-(2-aethoxy-aethoxy)-aethyl]-amin；tris-(3,6-dioxaoctyl)-amine；tris-(3,6-dioxaoctyl)amine；Tris(2-(2-ethoxyethoxy)ethyl)amine；2-(2-ethoxyethoxy)-N,N-bis[2-(2-ethoxyethoxy)ethyl]ethanamine
• CAS: 75888-21-0
• 化学式: C₁₈H₃₉NO₆
• 分子量: 365.511
• InChiKey: XZGIHWAIIZHXKX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.5
• 重原子数：
  25
• 可旋转键数：
  21
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  58.6
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  7

安全信息

• 海关编码：
  2922199090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(2-乙氧基乙氧基)-N,N-二[2-(2-乙氧基乙氧基)乙基]乙胺 、 3-硝基氯苯 在 氯化亚铜 sodium phenoxide 作用下， 以 苯甲醚 为溶剂， 生成 1-硝基-3-苯氧基苯
  参考文献：
  名称：

  Ullmann reaction for the synthesis of diaryl ethers

  摘要：

  Ullman反应是通过将芳基卤化物与金属酚盐耦合制备二芳基醚，该反应在至少一种具有以下结构的三级胺络合剂存在下进行：N--CHR.sub.1 --CHR.sub.2 --O--CHR.sub.3 --CHR.sub.4 --O--.sub.n R.sub.5 ].sub.3

  公开号：

  US04288386A1
• 作为产物：
  描述：

  二乙二醇乙醚 、 9-aza-3,6,12,15-tetraoxaheptadecane 在 aluminum nickel 作用下， 生成 2-(2-乙氧基乙氧基)-N,N-二[2-(2-乙氧基乙氧基)乙基]乙胺
  参考文献：
  名称：

  Process for the preparation of tris-(ether-amines) and the

  摘要：

  一种制备三(醚胺)的过程，其化学式为：N--[A--O--(B--O).sub.n --R].sub.3，其中R代表一个碳氢基团，A和B代表脂肪二基基团，n为0到4之间的整数，通过在存在占乙二醇单醚的10到40重量百分比的氢化-脱氢催化剂的情况下，通过对乙二醇单醚的氨解反应来实现。所生产的三(醚胺)包括三(3,6-二氧杂辛基)胺、三(3,6,9-三氧杂十一基)胺、三(3,6-二氧杂庚基)胺和三(3,6-二氧杂癸基)胺。

  公开号：

  US04408075A1
• 作为试剂：
  描述：

  氯丁烷 、 N,N-二甲基甲酰胺 、 2,3,5,8-tetrahydro-6,7-di-(thiomethoxy)-3,5,8-trioxoisoquinoline 在 2-(2-乙氧基乙氧基)-N,N-二[2-(2-乙氧基乙氧基)乙基]乙胺 、 potassium carbonate 作用下， 反应 5.0h， 以33%的产率得到2,3,5,8-tetrahydro-7-dimethylamino-6-thiomethoxy-2-n-butyl-3,5,8-trioxoisoquinoline
  参考文献：
  名称：

  Perfragilin A，B和一些类似物的合成

  摘要：

  描述了细胞毒性异喹啉醌全氟金银蛋白A的合成，全氟金银蛋白B的改进合成以及这两种化合物的一些类似物的制备。报告了许多产品的细胞毒性评估。描述了不同取代的苯醌与2-氮杂-1,3-双（叔丁基二甲基甲硅烷氧基）-1,3-丁二烯在狄尔斯-阿尔德反应中的区域选择性。

  DOI：

  10.1016/s0040-4020(02)01591-0

文献信息

• MATERIAL FOR FORMING ORGANIC FILM, METHOD FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20210286266A1

  公开（公告）日：2021-09-16

  The present invention is a material for forming an organic film, including: a compound shown by the following general formula (1); and an organic solvent, where in the general formula (1), X represents an organic group with a valency of “n” having 2 to 50 carbon atoms or an oxygen atom, “n” represents an integer of 1 to 10 , and R 1 independently represents any of the following general formulae (2), where in the general formulae (2), broken lines represent attachment points to X, and Q 1 represents a monovalent organic group containing a carbonyl group, at least a part of which is a group shown by the following general formulae (3), where in the general formulae (3), broken lines represent attachment points, X 1 represents a single bond or a divalent organic group having 1 to 20 carbon atoms optionally having a substituent when the organic group has an aromatic ring, R 2 represents a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or a phenyl group, and ** represents an attachment point. An object of the present invention is to provide a material for forming an organic film for forming an organic film having dry etching resistance, and also having high filling and planarizing properties and adhesion to a substrate.

  本发明是一种用于形成有机薄膜的材料，包括：由以下通用式（1）所示的化合物；和有机溶剂，在通用式（1）中，X代表具有2至50个碳原子或一个氧原子的价为“n”的有机基团，“n”表示1到10的整数，R1独立地表示以下通用式（2）中的任何一种，其中在通用式（2）中，虚线表示连接点到X，Q1表示含有羰基的一价有机基团，其中至少部分是以下通用式（3）所示的基团，其中在通用式（3）中，虚线表示连接点，X1表示单键或具有1到20个碳原子的二价有机基团，在有机基团具有芳香环时可选地具有取代基，R2表示氢原子、甲基基团、乙基基团或苯基团，**表示连接点。本发明的目的是提供一种用于形成具有干法刻蚀抗性的有机薄膜的材料，同时具有高填充和平整化性能以及对基底的粘附性。
• Preparation of benzenoid ethers and thioethers
  申请人：Rhone-Poulenc Industries

  公开号：US04287125A1

  公开（公告）日：1981-09-01

  Benzenoid ethers/thioethers are prepared by reacting an activated halobenzene with an anionic reactant, RA.sup.- M.sup.+, in the presence of at least one tertiary amine sequestering agent having formula: N--CHR.sub.1 --CHR.sub.2 --O--CHR.sub.3 --CHR.sub.4 --O--.sub.n R.sub.5 ].sub.3

  苯基醚/硫醚是通过将活化的卤代苯与阴离子反应物RA.sup.- M.sup.+在至少一种具有以下公式的三级胺螯合剂存在下反应来制备的：N--CHR.sub.1 --CHR.sub.2 --O--CHR.sub.3 --CHR.sub.4 --O--.sub.n R.sub.5 ].sub.3。
• [EN] QUINOLINONE DERIVATIVES AS PARP INHIBITORS<br/>[FR] DÉRIVÉS DE QUINOLINONE EN TANT QU'INHIBITEURS DE PARP
  申请人：JANSSEN PHARMACEUTICA NV

  公开号：WO2009053373A1

  公开（公告）日：2009-04-30

  Compounds of formula (I) wherein R1, R2, R3, R4, R5, Z and n have defined meanings, the N-oxide forms, the pharmaceutically acceptable addition salts, the quaternary ammonium salts and the stereochemically isomeric forms thereof, and their use for the treatment of PARP- mediated disorders.

  式（I）中R1、R2、R3、R4、R5、Z和n具有定义的含义，其N-氧化物形式，药用可接受的加盐物，季铵盐和立体化学异构体形式，以及它们用于治疗PARP介导的疾病。
• ULTRAVIOLET ABSORBER, COMPOSITION FOR FORMING A RESIST UNDER LAYER FILM, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20160053087A1

  公开（公告）日：2016-02-25

  The present invention provides an ultraviolet absorber containing a compound represented by the formula (A-1), wherein R represents a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or an allyl group, and R 1 , R 2 , R 3 , and R 4 may be the same or different, and each represent a hydrogen atom, a benzoyl group, a toluoyl group, a naphthoyl group, or an anthranoyl group. By adding the ultraviolet absorber to a composition for forming a resist under layer film, reflection can be suppressed particularly in lithography process by an ultraviolet laser, and a pattern profile can be improved without adverse effects on dry etching mask properties and adhesiveness to a resist pattern.

  本发明提供了一种含有式（A-1）所代表的化合物的紫外线吸收剂，其中R代表甲基基团、乙基基团、丙基基团或烯丙基基团，而R1、R2、R3和R4可以相同也可以不同，每个代表氢原子、苯甲酰基、甲苯酰基、萘甲酰基或蒽甲酰基。通过将紫外线吸收剂添加到用于形成抗蚀底层膜的组合物中，可以在紫外线激光的光刻过程中特别抑制反射，并且可以改善图案轮廓而不会对干法刻蚀掩模特性和对抗蚀图案的附着性产生不良影响。
• ORGANIC FILM COMPOSITION, PROCESS FOR FORMING ORGANIC FILM, PATTERNING PROCESS, AND COMPOUND
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20160336189A1

  公开（公告）日：2016-11-17

  An organic film composition including a compound represented by the following general formula (1), wherein n1 and n2 each independently represent 0 or 1; “W” represents a single bond or any of structures represented by the following formula (2); R 1 represents any of structures represented by the following general formula (3); m1 and m2 each independently represent an integer of 0 to 7, with the proviso that m1+m2 is 1 to 14. There can be provided an organic film composition for forming an organic film having dry etching resistance as well as advanced filling/planarizing characteristics.

  一种有机薄膜组合物，包括以下通式（1）所表示的化合物，其中n1和n2各自独立地表示0或1；“W”表示单键或以下式（2）所表示的任何结构之一；R1表示以下通式（3）所表示的任何结构之一；m1和m2各自独立地表示0到7的整数，但m1+m2为1到14。可以提供一种有机薄膜组合物，用于形成具有干法蚀刻抗性以及先进的填充/平坦化特性的有机薄膜。