对具有以
硅为中心手性的甲
硅烷基
氯还原
金属化的立体
化学过程的研究揭示了在甲
硅烷基阴离子形成过程中对立体选择有害的两个主要事件:(1)
氯离子诱导的
氯硅烷外消旋化和(2)非立体选择性形式二聚化在
金属化过程中提供相应的乙
硅烷。在对照实验中,这些过程的立体
化学过程已被独立验证,用于对映体富集的环状
氯硅烷 (SiS)-7a (R = H, er ⩾ 88:12) 的还原
金属化。对 (SiS)-7a 的几种相关衍
生物的筛选导致了空间位阻的
氯硅烷 (SiR)-7c(R = iPr,er ⩾ 94:6),它显示了一些独特的特征。这种结构修饰可防止
氯化锂引起的外消旋化 (T < -40 °C) 以及二聚化 (T < -100 °C) 从而允许通过用硅对氯硅烷进行还原金属化来生成第一代不对称取代的甲硅烷基阴离子 (SiS)-8c (er = 74:26) -中心手性。此外,通过
氯化 [(SiS)-9c (SiR)-7c]