2,4-diiodobenzene-1,3-diol | 41046-69-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 酚类
• 英文名称: 2,4-diiodobenzene-1,3-diol
• 英文别名: 2,4-diiodoresorcinol；2,4-Diiod-resorcin；2,4-Dijodresorcin
• CAS: 41046-69-9
• 化学式: C₆H₄I₂O₂
• 分子量: 361.906
• InChiKey: PNZFFUCODPBBCU-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  87-89 °C
• 沸点：
  229.4±40.0 °C(Predicted)
• 密度：
  2.774±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.5
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  2
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,4-diiodobenzene-1,3-diol 在 bis-triphenylphosphine-palladium(II) chloride 、 copper(l) iodide 、 platinum(II) chloride 咪唑 、 4-二甲氨基吡啶 、 lithium aluminium tetrahydride 、 ammonium cerium(IV) nitrate 、 一氧化碳 、 4-Angstroem MS 、 氢气 、 碘 、 三乙胺 、 三苯基膦 作用下， 以 四氢呋喃 、 N-甲基吡咯烷酮 、 乙醚 、 二氯甲烷 、 水 、 甲苯 、 乙腈 为溶剂， 85.0 ℃ 、101.33 kPa 条件下， 反应 5.5h， 生成 erypoegin H
  参考文献：
  名称：

  通过PtCl2催化的环异构化反应可完全合成抗生素erypoegin H和。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200700895
• 作为产物：
  描述：

  间苯二酚 在 盐酸 、 potassium iodate 、 potassium iodide 作用下， 以61%的产率得到2,4-diiodobenzene-1,3-diol
  参考文献：
  名称：

  X射线造影剂设计研究。合成，疏水性和溶解度的一些异戊二烯基双（β-葡萄糖苷）。

  摘要：

  制备了两个二碘代和两个三碘十二烷基双（β-葡糖苷），并将它们的疏水性（log P octano）和水溶性与三碘苯基β-葡糖苷和几种实验性非离子水溶性X射线造影剂进行了比较。数据表明大体积的亲水性O-β-葡萄糖基取代基与卤素取代基的空间重叠；仅在观察到的log P辛醇约为1.5或更低时才能获得高水溶性。在这些新化合物中，只有2,4，-6-三碘-5-N-甲基羧酰胺基双（β-葡萄糖苷）（6）具有高度水溶性。在体外狗的血浆中的生理pH下，化合物6迅速水解。水溶性差但较稳定的该系列化合物未从狗的十二指肠中明显吸收。

  DOI：

  10.1021/jm00234a001

文献信息

• Iodination of anilines and phenols with 18-crown-6 supported ICl2−
  作者：Hannah W. Mbatia、Olbelina A. Ulloa、Daniel P. Kennedy、Christopher D. Incarvito、Shawn C. Burdette

  DOI：10.1039/c0ob00926a

  日期：——

  A highly crystalline iodinating reagent, [K·18-C-6]ICl2}n, was synthesized in high yield (93%). The trihalide is supported by an 18-crown-6 macrocycle and forms a coordination polymer in the solid state. This reagent iodinates anilines and phenols efficiently under mild conditions. Controlled mono-iodination with anilines was easily achieved while poly-iodination was observed with phenols.

  高结晶性的碘化试剂[K·18-C-6]ICl2}n以高产率（93%）合成。该三卤化物由18-冠-6大环支撑，并在固态下形成配位聚合物。该试剂在温和条件下高效碘化苯胺和酚。通过苯胺实现了可控的单碘化，而酚则观察到多碘化作用。
• A comparative study of the electronic spectra, fluorescence quantum yields, cyclic voltammograms and theoretical calculations of phenanthrene-type benzodifurans
  作者：Naoto Hayashi、Yoko Saito、Xiaoxi Zhou、Junro Yoshino、Hiroyuki Higuchi、Toshiki Mutai

  DOI：10.1016/j.tet.2016.05.019

  日期：2016.7

  B3LYP/6-31G(d,p) calculations revealed that 4O had the highest electron-donating/accepting characteristics of all of the compounds prepared in this study. The lower electron-donating/accepting properties of 5O were attributed to the shorter chain length of it π-conjugated system. The unexpectedly high electron-donating and low electron-accepting properties of 3O were attributed to changes in the radical

  菲的三个同分异构呋喃类似物，包括苯并[1,2- b ; 6,5- b ']二呋喃（3O），苯并[1,2- b ; 4,3- b ']二呋喃（4O）和苯并[制备了1,2- b ; 3,4- b ']二呋喃（5O），并对其性能进行了系统的研究。与苯并[1,2- b ; 4,5- b ']二呋喃（1O）和苯并[1,2- b ; 5,4- b ']二呋喃（2O）相比，荧光量子有明显差异。3O-5O的产量。考虑吸收和荧光光谱，循环伏安图和B3LYP / 6-31G（d，p）计算表明，在本研究中制备的所有化合物中，4O具有最高的给电子/受电子特性。5O的较低的供电子/受电子性能是由于其π共轭体系的链长较短。3O出乎意料的高给电子性和低电子接受性分别归因于自由基阳离子和阴离子状态的变化。3O-5O的噻吩和硒烯类似物的最高占据和最低未占据分子轨道的能级 还计算了它们的相对能量，并以类似方式解释了它们的相对能量。
• Machacek,V. et al., Collection of Czechoslovak Chemical Communications, 1972, vol. 37, p. 3073 - 3080
  作者：Machacek,V. et al.

  DOI：——

  日期：——
• WEITL F. L., J. ORG. CHEM. <JOCE-AH>, 1976, 41, NO 11, 2044-2045
  作者：WEITL F. L.

  DOI：——

  日期：——
• COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM FOR EUV LITHOGRAPHY
  申请人：Sakamoto Rikimaru

  公开号：US20120040291A1

  公开（公告）日：2012-02-16

  There is provided a compositions of resist underlayer films for EUV lithography that is used in a production process of devices employing EUV lithography, that reduces adverse effects caused by EUV, and that has a beneficial effect on the formation of a favorable resist pattern; and a method for forming resist patterns using the composition of resist underlayer films for EUV lithography. A composition for forming a resist underlayer film for an EUV lithography process used in production of a semiconductor device, comprising a novolac resin containing a halogen atom. The novolac resin may include a cross-linkable group composed of an epoxy group, a hydroxy group, or a combination thereof. The halogen atom may be a bromine atom or an iodine atom. The novolac resin may be a reaction product of a novolac resin or an epoxidized novolac resin and a halogenated benzoic acid; or a reaction product of a glycidyloxy novolac resin and diiodosalicylic acid.