1,3-Di-tert-butyl-2-chlor-1,3-diaza-2-sila-4-cyclopenten | 107495-72-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 氮杂环化合物
• 英文名称: 1,3-Di-tert-butyl-2-chlor-1,3-diaza-2-sila-4-cyclopenten
• 英文别名: 2-chloro-1,3-di-tert-butyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene；(Si(^tBuNCHCHN^tBu)(H)Cl)；1,3-di-t-butyl-2-chloro-1,3-diaza-2-sila-cyclopentene；1,3-Di-tert-butyl-2-chloro-2,3-dihydro-1H-1,3,2-diazasilole；1,3-ditert-butyl-2-chloro-2H-1,3,2-diazasilole
• CAS: 107495-72-7
• 化学式: C₁₀H₂₁ClN₂Si
• 分子量: 232.829
• InChiKey: VNXPBYVRENSNQW-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  65 °C(Press: 1 Torr)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.63
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,3-Di-tert-butyl-2-chlor-1,3-diaza-2-sila-4-cyclopenten 在 lithium amide 作用下， 以 乙二醇二甲醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 2.17h， 以92%的产率得到2-amino-1,3-di-tert-butyl-1,3-diaza-2-silacyclopent-4-ene
  参考文献：
  名称：

  HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM

  摘要：

  公开号：

  EP2581377B1
• 作为产物：
  描述：

  N,N'-二丁基-1,2-乙二亚胺 在 三氯硅烷 、 lithium 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 19.0h， 生成 1,3-Di-tert-butyl-2-chlor-1,3-diaza-2-sila-4-cyclopenten
  参考文献：
  名称：

  HYDROSILANE DERIVATIVE, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SILICON-CONTAINING THIN FILM

  摘要：

  公开号：

  EP2581377B1

文献信息

• A Stable Silylene in a Reactive Environment:  Synthesis, Reactivity, and Silicon Extrusion Chemistry of a Coordinatively Unsaturated Ruthenium Silylene Complex Containing Chloride and η³-P−C−P Ligands
  作者：Dino Amoroso、Michael Haaf、Glenn P. A. Yap、Robert West、Deryn E. Fogg

  DOI：10.1021/om0101801

  日期：2002.2.1

  4 equiv of the stable silylene 1,3-di-tert-butyl-1,3,2-diazasilol-2-ylidene (SiLN2) yields coordinatively unsaturated RuCl(η3-dcypb)(SiLN2) (2). Complex 2 is a rare example of a trans-spanning diphosphine complex, this geometry resulting from an unprecedented attack of the metal on the tetramethylene ligand backbone. X-ray and solid-state 31P NMR and IR analysis reveal an agostic interaction between

  [（dcypb）ClRu（μ-Cl）3 Ru（dcypb）（N 2）]（1）与4当量的稳定亚甲硅1,3-二叔丁基-1,3,2-二氮杂硅烷基-的反应咪唑-2-亚基（SIL ñ 2）得到配位不饱和的RuCl（η 3 -dcypb）（SIL ñ 2）（2）。配合物2是跨跨二膦配合物的罕见实例，这种几何形状是由于金属对四亚甲基配体主链的空前攻击而导致的。透视和固态31 P NMR和IR分析显示金属和亚甲硅烷卜之间的抓氢键吨团体。在溶液中，只有在低温下才能观察到这种相互作用。的反应2用H 2含微量ħ 2个ö产量硅氧烷二聚物[L Ñ 2的Si（H）] 2 ö 3和钌氢化物-H 2加合物[（dcypb）（H）的Ru（μ-Cl）的2（μ -H）Ru（dcypb）（H 2）]（4）。尝试分离4导致分解产物5 [[dcypb）（H）Ru（μ-Cl）3 Ru（dcypb）（N 2）]意外结晶。对5的X射线分析表
• Insights into the reactivity and structure of silylene phosphonium ionsDedicated to Professor Edgar Niecke on the occasion of his 65th birthday.
  作者：Rudolf Pietschnig

  DOI：10.1039/b315001a

  日期：——

  Experimental evidence for the intermediate occurrence of a so far unknown silylene phosphonium ion is presented and its reactivity and bond situation is discussed on the basis of ab initio calculations.

  实验证明了一种迄今未知的硅膦离子的中间存在，并在 ab initio 计算的基础上讨论了它的反应性和键情况。
• Hydrosilane derivative, method for producing same, and method for producing silicon-containing thin film
  申请人：Tada Ken-ichi

  公开号：US09120825B2

  公开（公告）日：2015-09-01

  This invention aims at providing a material from which a silicon-containing thin film can be efficiently produced at a low temperature of 500° C. or less without using plasma or the like. The invention relates to produce a hydrosilane derivative represented by the general formula (1′) by reacting a chlorosilane derivative (3) with a compound M2Z (4) and produce the silicon-containing thin film by using the hydrosilane derivative as the material. In the formulae, R1, R2 are defined in the specification.

  本发明旨在提供一种材料，该材料可以在不使用等离子体或类似物的情况下，在低于500°C的低温下高效地产生含硅薄膜。 本发明涉及通过将氯硅烷衍生物（3）与化合物M2Z（4）反应产生由通式（1'）表示的氢硅烷衍生物，并使用该氢硅烷衍生物作为材料制备含硅薄膜。在式中，R1，R2在规范中定义。
• Dieck, Heindirk tom; Zettlitzer, Michael, Chemische Berichte, 1987, vol. 120, p. 795 - 802
  作者：Dieck, Heindirk tom、Zettlitzer, Michael

  DOI：——

  日期：——
• Zettlitzer, Michael; tom Dieck, Heindirk; Stamp, Lutz, Zeitschrift fur Naturforschung, Teil B: Anorganische Chemie, Organische Chemie
  作者：Zettlitzer, Michael、tom Dieck, Heindirk、Stamp, Lutz

  DOI：——

  日期：——