result in a high coordinated homoleptic complex but instead yields [(coe)(toluene)RhGa(DDP)}(CF3SO3)] (4). The common feature of 2 and 4 in the solid state structure is the presence of short CF3SO2O···Ga contacts involving the GaCp* or rather the Ga(DDP) ligand. Compounds 1, 2, and 4 have been fully characterized by single crystal X-ray diffraction, variable temperature 1H and 13C NMR spectroscopy, IR
钼(0)和
铑(I)的
烯烃含有与卡宾13族
金属配位体结扎器GAR(R的起始原料的反应中的
CP = *,DDP;的
CP * =五
甲基环戊二烯,DDP = HC(CMeNC 6 ħ 3 -2,6 -我
镨2)2)进行了研究和比较。的[沫(η治疗4
丁二烯)3 ]与GA
CP *
氢气氛下在100℃下得到的均配型,六配位,并在空间上拥挤络合物[沫(GA
CP *)6 ](1以良好的收率)≥50% 。化合物1表现出不寻常且高度配位的八面体[MoGa 6 ]核。同样,[Rh(Ga
CP *)5通过以下反应制备] [CF 3 SO 3 ](2)和[Rh(Ga
CP *)5 ] [
BAr F ](3)(
BAr F = B C 6 H 3(CF 3)2 } 4)。 Ga
CP *与
铑(I)化合物[Rh(coe)2(CF 3 SO 3)] 2(coe =环
辛烯)和随后在3的情况下进行阴离子交换。化合物2具有三角双锥体[RhGa