4-Hydroxymethyl-pyran-2-one | 81330-26-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 吡喃
• 英文名称: 4-Hydroxymethyl-pyran-2-one
• 英文别名: 4-(Hydroxymethyl)pyran-2-one
• CAS: 81330-26-9
• 化学式: C₆H₆O₃
• 分子量: 126.112
• InChiKey: GRROWJTYRLLWKH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.6
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.17
• 拓扑面积：
  46.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  (1S,2R,3S,5S,7S,8R)-2-(hydroxymethyl)-4-oxatetracyclo[6.2.1.02,7.03,5]undec-9-en-6-one 540.0 ℃ 、2.67 Pa 条件下， 以80%的产率得到4-Hydroxymethyl-pyran-2-one
  参考文献：
  名称：

  通过快速热解三环戊烯酮的环还原反应轻松合成官能化的环戊二烯酮环氧化物

  摘要：

  通过适当的三环| 15.2.1.1.0 2,6 |的热环还原来实际合成环戊二烯酮环氧化物10和它们的二甲基乙缩醛12 。描述了十烯酮环氧化物。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(01)93039-4

文献信息

• COUMESTAN-LIKE ANTIOXIDANTS AND UV ABSORBANTS
  申请人：Wagner Barbara

  公开号：US20100330009A1

  公开（公告）日：2010-12-30

  The present invention relates to derivatives of the 1H-pyrano[4,3-b]benzofuran-1-one structure and their nitrogen analogues which possess powerful antioxidant properties combined with a highly effective UV absorbing functionality in one molecule. These compounds are especially useful in cosmetical and dermatological formulations.

  本发明涉及1H-吡喴并[4,3-b]苯并呋喃-1-酮结构及其氮类似物的衍生物，这些衍生物具有强大的抗氧化性能，同时结合了高效的吸收紫外线功能在一个分子中。这些化合物在化妆品和皮肤科配方中特别有用。
• Resist composition and patterning process
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US10474030B2

  公开（公告）日：2019-11-12

  A resist composition comprising a base polymer and a metal salt of carboxylic acid or sulfonamide is provided, the metal being selected from calcium, strontium, barium, cerium, aluminum, indium, gallium, thallium scandium, and yttrium. The resist composition exhibits a sensitizing effect and an acid diffusion suppressing effect and forms a pattern having improved resolution, LWR and CDU.

  本发明提供了一种抗蚀剂组合物，它由基质聚合物和羧酸或磺酰胺的金属盐组成，金属选自钙、锶、钡、铈、铝、铟、镓、铊钪和钇。抗蚀剂组合物具有敏化效果和酸扩散抑制效果，并能形成具有更高分辨率、LWR 和 CDU 的图案。
• KLUNDER, A. J. H.;BOS, W.;VERLAAK, J. M. M.;ZWANENBURG, B., TETRAHEDRON LETT., GB, 1981, 22, N 45, 4553-4556
  作者：KLUNDER, A. J. H.、BOS, W.、VERLAAK, J. M. M.、ZWANENBURG, B.

  DOI：——

  日期：——
• RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20180101094A1

  公开（公告）日：2018-04-12

  A resist composition comprising a base polymer and a metal salt of carboxylic acid or sulfonamide is provided, the metal being selected from calcium, strontium, barium, cerium, aluminum, indium, gallium, thallium scandium, and yttrium. The resist composition exhibits a sensitizing effect and an acid diffusion suppressing effect and forms a pattern having improved resolution, LWR and CDU.
• US8383088B2
  申请人：——

  公开号：US8383088B2

  公开（公告）日：2013-02-26