Potassium anthraquinone-1,8-disulfonate | 14938-42-2

• 物质功能分类: 化学试剂 - 有机试剂 - 磺酸盐/亚磺酸盐
• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 蒽
• 英文名称: Potassium anthraquinone-1,8-disulfonate
• 英文别名: dipotassium;9,10-dioxoanthracene-1,8-disulfonate
• CAS: 14938-42-2
• 化学式: C14H6K2O8S2
• 分子量: 444.5
• InChiKey: PWPFDCNGQQSVJK-UHFFFAOYSA-L

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -5.72
• 重原子数：
  26
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  165
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

制备方法与用途

用途：用作染料中间体

文献信息

• Compositions and methods for tantalum CMP
  申请人：Carter W. Phillip

  公开号：US20060030158A1

  公开（公告）日：2006-02-09

  A composition suitable for tantalum chemical-mechanical polishing (CMP) comprises an abrasive, an organic oxidizer, and a liquid carrier therefor. The organic oxidizer has a standard redox potential (E 0 ) of not more than about 0.5 V relative to a standard hydrogen electrode. The oxidized form comprises at least one pi-conjugated ring, which includes at least one heteroatom directly attached to the ring. The heteroatom can be a N, O, S or a combination thereof. In a method embodiment, a CMP composition comprising an abrasive, and organic oxidizer having an E 0 of not more than about 0.7 V relative to a standard hydrogen electrode, and a liquid carrier therefor, is utilized to polish a tantalum-containing surface of a substrate, by abrading the surface of the substrate with the composition, preferably with the aid of a polishing pad.

  一种适用于钽化学机械抛光（CMP）的组合物由磨料、有机氧化剂和液体载体组成。有机氧化剂具有标准氧化还原电位（E 0 相对于标准氢电极不超过约 0.5 V。氧化形式包括至少一个π-共轭环，其中包括至少一个直接连接到环上的杂原子。杂原子可以是 N、O、S 或它们的组合。在一个方法的实施例中，一种 CMP 组合物包括研磨剂和有机氧化剂，其 E 0 不超过约 0.7 V 的有机氧化剂，以及一种液体载体，通过用该组合物研磨基底的含钽表面，最好是借助抛光垫。
• COMPOSITIONS AND METHODS FOR TANTALUM CMP
  申请人：CABOT MICROELECTRONICS CORPORATION

  公开号：EP1928965B1

  公开（公告）日：2015-12-30
• US4021455A
  申请人：——

  公开号：US4021455A

  公开（公告）日：1977-05-03
• US7316603B2
  申请人：——

  公开号：US7316603B2

  公开（公告）日：2008-01-08
• [EN] COMPOSITIONS AND METHODS FOR TANTALUM CMP<br/>[FR] COMPOSITIONS ET PROCEDES DE POLISSAGE CHIMICO-MECANIQUE DU TANTALE (CMP)
  申请人：CABOT MICROELECTRONICS CORP

  公开号：WO2007038077A2

  公开（公告）日：2007-04-05

  [EN] A composition suitable for tantalum chemical-mechanical polishing (CMP) comprises an abrasive, an organic oxidizer, and a liquid carrier therefor. The organic oxidizer has a standard redox potential (E⁰) of not more than 0.5 V relative to a standard hydrogen electrode. The oxidized form comprises at least one pi-conjugated ring, which includes at least one heteroatom directly attached to the ring. The heteroatom can be a N, O, S or a combination thereof. In a method embodiment, a CMP composition comprising an abrasive, and organic oxidizer having an E0 of not more than 0.7 V relative to a standard hydrogen electrode, and a liquid carrier therefor, is utilized to polish a tantalum-containing surface of a substrate, by abrading the surface of the substrate with the composition, preferably with the aid of a polishing pad.
  [FR] L'invention concerne une composition appropriée au polissage chimico-mécanique du tantale (CMP) qui comprend un abrasif, un oxydant organique et un tensioactif liquide. L'oxydant organique comprend un potentiel d'oxydoréduction standard (E⁰) ne dépassant pas 0,5 V par rapport à une électrode à l'hydrogène standard. La forme oxydée comprend au moins un noyau pi-conjugué, qui comprend au moins un hétéroatome directement fixé au noyau. L'hétéroatome peut être N, O, S ou une combinaison de ces derniers. Dans un mode de réalisation, une composition CMP comprenant un abrasif, un oxydant organique présentant un E⁰ ne dépassant pas 0,7 V par rapport à une électrode à l'hydrogène standard et à un tensioactif liquide correspondant est utilisée pour polir une surface d'un substrat contenant du tantale par abrasion de la surface du substrat à l'aide de la composition, de préférence à l'aide d'un tampon à polir.

表征谱图