丁卡因杂质 | 92726-05-1

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 苯和取代衍生物
• 中文名称: 丁卡因杂质
• 英文名称: 4-(di(n-butyl)amino)benzoic acid
• 英文别名: 4-dibutylamino-benzoic acid；4-Dibutylamino-benzoesaeure；4-(Dibutylamino)benzoic acid
• CAS: 92726-05-1
• 化学式: C₁₅H₂₃NO₂
• mdl: MFCD06203290
• 分子量: 249.353
• InChiKey: HSVJMWXLGNHXNV-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  115 °C
• 沸点：
  394.0±25.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.043±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.1
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  8
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.533
• 拓扑面积：
  40.5
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  丁卡因杂质 在 氯化亚砜 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 生成 4-Dibutylamino-benzoyl chloride
  参考文献：
  名称：

  来自4-（二烷基氨基）苯甲酰肼的分子内电荷转移双荧光传感器，电子受体内具有金属结合位点

  摘要：

  设计了三个氟离子载体（2a – c）作为分子内电荷转移（CT）双荧光传感器，用于在电子受体内具有金属结合位点的金属阳离子。这些传感器衍生自4-二烷基氨基苯甲酰胺（烷基=甲基，乙基和正丁基），酰胺基苯环为15冠-5的臂，因此带有碱金属和碱土金属阳离子的结合位点。预期化合物2a – c具有两个可能方向相反的CT通道。2a – c及其无冠醚模型分子3a – c的吸收光谱和荧光光谱记录了在各种溶剂中的溶解度。在2a – c处观察到双重荧光，并分别分配为LE和CT状态。在非极性或极性较小的溶剂中，CT出现在2a – c处，这被确定为与苯甲酰苯胺（BA）以酰胺基苯胺为电子供体时发生的CT（BA-like CT），而在极性溶剂中，例如乙腈（ACN）， CT仍然主要类似于BA。在ACN中存在碱金属和碱土金属阳离子的情况下，CT双荧光发生了实质性变化，如总量子产率提高，LE谱带红移和CT与LE强度比提高。金属阳离子在2a

  DOI：

  10.1016/j.tet.2006.08.024
• 作为产物：
  描述：

  N,N-二丁基苯胺 在 乙醚 、 溴 、 lithium 、 溶剂黄146 作用下， 生成 丁卡因杂质
  参考文献：
  名称：

  在抗疟疾作用研究中，苯丙氨酸和金胺的某些衍生物的合成。

  摘要：

  DOI：

  10.1021/ja01214a007

文献信息

• Resist composition and patterning process
  申请人：Watanabe Satoshi

  公开号：US20100009299A1

  公开（公告）日：2010-01-14

  The present invention relates to: a resist composition such as a chemically amplified resist composition for providing an excellent pattern profile even at a substrate-side boundary face of resist, in addition to a higher resolution in photolithography for micro-fabrication, and particularly in photolithography adopting, as an exposure source, KrF laser, ArF laser, F 2 laser, ultra-short ultraviolet light, electron beam, X-rays, or the like; and a patterning process utilizing the resist composition. The present invention provides a chemically amplified resist composition comprising one or more kinds of amine compounds or amine oxide compounds (except for those having a nitrogen atom of amine or amine oxide included in a ring structure of an aromatic ring) at least having a carboxyl group and having no hydrogen atoms covalently bonded to a nitrogen atom as a basic center.

  本发明涉及一种抗蚀组合物，例如用于在抗蚀物的基板侧边界面上提供优异图案轮廓的化学增感抗蚀组合物，除了在微细加工的光刻工艺中具有更高的分辨率外，特别是在采用KrF激光、ArF激光、F2激光、超短紫外光、电子束、X射线等作为曝光光源的光刻工艺中；以及利用该抗蚀组合物的图案化工艺。本发明提供一种化学增感抗蚀组合物，其包括一种或多种胺化合物或胺氧化合物（除了那些在芳香环的环结构中不含有胺或胺氧原子的氮原子的化合物），至少具有一个羧基，并且没有氢原子共价键结合到氮原子作为碱性中心。
• NOVEL ONIUM SALT COMPOUND, RESIST COMPOSITION, AND PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US20160131972A1

  公开（公告）日：2016-05-12

  Sulfonium and iodonium salts of a carboxylate having an aromatic ring to which a nitrogen-containing alkyl or cyclic structure is attached are novel. The onium salt functions as an acid diffusion controlling agent in a resist composition, enabling to form a pattern of good profile with high resolution, improved MEF, LWR and DOF.

  一种具有芳香环的羧酸酯的砜和碘化物盐，其中连接有含氮烷基或环状结构，是一种新颖的化合物。该砜盐在抗蚀组合物中作为酸扩散控制剂，有助于形成具有高分辨率、改善MEF、LWR和DOF的良好轮廓图案。
• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION AND RESIST PATTERN FORMING PROCESS
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.

  公开号：US20160090355A1

  公开（公告）日：2016-03-31

  A sulfonium salt of formula (0-1) is provided wherein W is alkylene or arylene, R 01 is a monovalent hydrocarbon group, m is 0, 1 or 2, k is an integer: 0≦k≦5+4m, R 101 , R 102 and R 103 are a monovalent hydrocarbon group, or at least two of R 101 , R 102 and R 103 may bond together to form a ring with the sulfur atom, and L is a single bond, ester, sulfonic acid ester, carbonate or carbamate bond. A resist composition comprising the sulfonium salt as PAG exhibits a very high resolution when processed by EB and EUV lithography. A pattern with minimal LER is obtainable.

  提供一种化学式为（0-1）的磺鎓盐，其中W是烷基或芳基，R01是一价碳氢基团，m为0、1或2，k为整数：0≦k≦5+4m，R101、R102和R103是一价碳氢基团，或者R101、R102和R103中至少两个可以相互结合形成与硫原子的环，L是单键、酯、磺酸酯、碳酸酯或氨基甲酸酯键。包含磺鎓盐作为PAG的抗蚀组成物在经过电子束或极紫外光刻过程时表现出非常高的分辨率。可获得具有最小LER的图案。
• SULFONIUM SALT, POLYMER, CHEMICALLY AMPLIFIED RESIST COMPOSITION USING SAID POLYMER, AND RESIST PATTERNING PROCESS
  申请人：DOMON Daisuke

  公开号：US20120308920A1

  公开（公告）日：2012-12-06

  There is disclosed a sulfonium salt shown by the following general formula (1). There can be a sulfonium salt capable of introducing an acid-generating unit generating an acid having an appropriate acid strength and not impairing adhesion with a substrate into a base polymer; a polymer using the said sulfonium salt; a chemically amplified resist composition using the said polymer as a base polymer; and a patterning process using the said chemically amplified resist composition.

  公开了一种由以下一般式（1）所示的硫銨鹽。可以有一种硫銨鹽，能夠將一個能夠生成具有適當酸度並不損害與基材的粘附性的酸的酸生成單元引入到基聚合物中；使用所述硫銨鹽的聚合物；使用所述聚合物作為基聚合物的化學放大的抗蝕組成物；以及使用所述化學放大的抗蝕組成物的圖案形成過程。
• SULFONIUM SALT, RESIST COMPOSITION, AND PATTERNING PROCESS
  申请人：OHSAWA Youichi

  公开号：US20110008735A1

  公开（公告）日：2011-01-13

  A sulfonium salt having a triphenylsulfonium cation and a sulfite anion within the molecule is best suited as a photoacid generator in chemically amplified resist compositions. Upon exposure to high-energy radiation, the sulfonium salt generates a sulfonic acid, which facilitates efficient scission of acid labile groups in chemically amplified positive resist compositions. Because of substantial non-volatility under high vacuum conditions in the EB or EUV lithography, the risk of the exposure tool being contaminated is minimized.

  分子中含有三苯基磺鎵阳离子和亚硫酸盐阴离子的磺鎵盐，在化学增感抗蚀剂组合物中最适合作为光酸发生剂。当暴露于高能辐射时，磺鎵盐会生成磺酸，促进化学增感正向抗蚀剂组合物中酸不稳定基团的高效断裂。由于在电子束或极紫外光刻技术下，磺鎵盐具有相当的非挥发性，因此减少了暴露工具被污染的风险。