silver 5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: silver 5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate
• 英文别名: Silver 5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate；silver;5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate
• 化学式: Ag*C₄HClNO₅S₂
• 分子量: 350.509
• InChiKey: BCGLCHPCUFNNDS-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.21
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  140
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  silver 5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate 、 三苯基溴化锍 以 水 、 乙腈 为溶剂， 反应 72.0h， 生成 triphenylsulfonium thiophene-2-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  [EN] FLUORINE-FREE HETERAROMATIC PHOTOACID GENERATORS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS CONTAINING THE SAME
  [FR] GÉNÉRATEURS DE PHOTOACIDES HÉTÉROAROMATIQUES EXEMPTS DE FLUOR ET COMPOSITIONS DE PHOTORÉSINE LES CONTENANT

  摘要：

  不含氟的光酸发生剂和含有不含氟光酸发生剂的光阻组合物作为PFOS/PFAS光酸发生剂含有光阻的替代品。这些光酸发生剂的特点是含有不含氟的杂环磺酸盐阴离子成分。光酸发生剂最好包含一个离子阳离子成分，更好地是一个磺酚阳离子成分。光阻组合物最好包含酸敏感成像聚合物。这些组合物在利用193nm（ArF）成像辐射形成材料图案方面特别有用。

  公开号：

  WO2009091702A1
• 作为产物：
  描述：

  5-氯-4-硝基噻吩-2-磺酰氯 在 silver carbonate 作用下， 以 水 、 乙酸乙酯 、 乙腈 为溶剂， 生成 silver 5-chloro-4-nitrothiophene-2-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  FLUORINE-FREE HETEROAROMATIC PHOTOACID GENERATORS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS CONTAINING THE SAME

  摘要：

  不含氟的光酸发生剂和含有不含氟的光酸发生剂的光阻组合物作为PFOS/PFAS光酸发生剂含有的光阻的替代品。这些光酸发生剂的特点是含有不含氟的杂环磺酸盐阴离子组分。这些光酸发生剂最好含有一个离子阳离子组分，更好地是含有一个磺酸盐阳离子组分。这些光阻组合物最好含有酸敏感的成像聚合物。这些组合物尤其适用于使用193 nm（ArF）成像辐射形成材料图案。

  公开号：

  US20090181320A1

文献信息

• Fluorine-free heteroaromatic photoacid generators and photoresist compositions containing the same
  申请人：International Business Machines Corporation

  公开号：US08034533B2

  公开（公告）日：2011-10-11

  Fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing fluorine-free photoacid generators are enabled as alternatives to PFOS/PFAS photoacid generator-containing photoresists. The photoacid generators are characterized by the presence of a fluorine-free heteroaromatic sulfonate anionic component. The photoacid generators preferably contain an onium cationic component, more preferably a sulfonium cationic component. The photoresist compositions preferably contain an acid sensitive imaging polymer. The compositions are especially useful for forming material patterns using 193 nm (ArF) imaging radiation.

  无氟光酸发生剂和含有无氟光酸发生剂的光刻胶组合物作为PFOS/PFAS光酸发生剂含量较高的光刻胶的替代品。该光酸发生剂具有无氟杂环磺酸盐阴离子组分的特征。该光酸发生剂最好包含一个离子型阳离子组分，更好地是一个磺酸盐阳离子组分。该光刻胶组合物最好包含一个酸敏感成像聚合物。该组合物特别适用于使用193nm（ArF）成像辐射形成材料图案。
• FLUORINE-FREE HETEROAROMATIC PHOTOACID GENERATORS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS CONTAINING THE SAME
  申请人：Liu Sen

  公开号：US20090181320A1

  公开（公告）日：2009-07-16

  Fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing fluorine-free photoacid generators are enabled as alternatives to PFOS/PFAS photoacid generator-containing photoresists. The photoacid generators are characterized by the presence of a fluorine-free heteroaromatic sulfonate anionic component. The photoacid generators preferably contain an onium cationic component, more preferably a sulfonium cationic component. The photoresist compositions preferably contain an acid sensitive imaging polymer. The compositions are especially useful for forming material patterns using 193 nm (ArF) imaging radiation.

  不含氟的光酸发生剂和含有不含氟的光酸发生剂的光阻组合物作为PFOS/PFAS光酸发生剂含有的光阻的替代品。这些光酸发生剂的特点是含有不含氟的杂环磺酸盐阴离子组分。这些光酸发生剂最好含有一个离子阳离子组分，更好地是含有一个磺酸盐阳离子组分。这些光阻组合物最好含有酸敏感的成像聚合物。这些组合物尤其适用于使用193 nm（ArF）成像辐射形成材料图案。
• [EN] FLUORINE-FREE HETERAROMATIC PHOTOACID GENERATORS AND PHOTORESIST COMPOSITIONS CONTAINING THE SAME<br/>[FR] GÉNÉRATEURS DE PHOTOACIDES HÉTÉROAROMATIQUES EXEMPTS DE FLUOR ET COMPOSITIONS DE PHOTORÉSINE LES CONTENANT
  申请人：IBM

  公开号：WO2009091702A1

  公开（公告）日：2009-07-23

  Fluorine-free photoacid generators and photoresist compositions containing fluorine-free photoacid generators are enabled as alternatives to PFOS/PFAS photoacid generator-containing photoresists. The photoacid generators are characterized by the presence of a fluorine-free heteroaromatic sulfonate anionic component. The photoacid generators preferably contain an onium cationic component, more preferably a sulfonium cationic component. The photoresist compositions preferably contain an acid sensitive imaging polymer. The compositions are especially useful for forming material patterns using 193nm (ArF) imaging radiation.

  不含氟的光酸发生剂和含有不含氟光酸发生剂的光阻组合物作为PFOS/PFAS光酸发生剂含有光阻的替代品。这些光酸发生剂的特点是含有不含氟的杂环磺酸盐阴离子成分。光酸发生剂最好包含一个离子阳离子成分，更好地是一个磺酚阳离子成分。光阻组合物最好包含酸敏感成像聚合物。这些组合物在利用193nm（ArF）成像辐射形成材料图案方面特别有用。