sodium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 有机磺酸及其衍生物
• 英文名称: sodium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate
• 英文别名: sodium hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate；sodium;3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-(trifluoromethyl)propane-1-sulfonate
• 化学式: C₄H₃F₆O₄S*Na
• 分子量: 284.112
• InChiKey: YXLPCYGHTCHNIX-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -2.61
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  85.8
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  10

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  sodium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate 、 bis(4-tert-butylphenyl)iodonium hydrogen sulfate 以 二氯甲烷 、 水 为溶剂， 反应 1.0h， 以72%的产率得到bis(4-tert-butylphenyl)iodonium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  신규 술폰산염 및 그의 유도체, 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법

  摘要：

  本发明提供了对化学放大抗蚀剂材料有效的新型磺酸盐和光发生剂，它们在抗蚀剂溶剂和树脂中具有足够高的溶解度（相容性）、良好的保存稳定性、PED稳定性、更宽的焦深、良好的灵敏度，特别是良好的分辨率和图案轮廓形状，以及使用它们形成抗蚀剂材料、光掩膜坯料和图案的方法。本发明提供了由下式 2 表示的磺酸盐。<方案2>（式中，R1代表碳数为1至50的直链、支链或环状单价烃基，其中可包括一个杂原子，M+代表阳离子）。

  公开号：

  KR101532103B1
• 作为产物：
  描述：

  3,3,3,-三氟-2-(三氟甲基)-1,2-氧化丙烯 、 sodium hydrogensulfite 以 水 为溶剂， 反应 10.0h， 以obtaining an aqueous solution of sodium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate的产率得到sodium 3,3,3-trifluoro-2-hydroxy-2-trifluoromethylpropane-1-sulfonate
  参考文献：
  名称：

  PREPARATION OF 2,2-BIS (FLUOROALKYL) OXIRANE AND PREPARATION OF PHOTOACID GENERATOR THEREFROM

  摘要：

  A 2,2-双（氟烷基）环氧乙烷（A）是通过将氟化醇（1）与氯化、溴化或磺酰化试剂在碱性条件下反应形成环氧前体（2），并在碱性条件下使环氧前体发生环闭合反应而制备得到。其中，R1和R2为氟烷基，R3和R4为氢或一价烃基，X为氯、溴或—OSO2R5基团，R5为烷基或芳基。

  公开号：

  US20130005997A1

文献信息

• 술포늄염, 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(519980708960)

  公开号：KR101695054B1

  公开（公告）日：2017-01-10

  [과제] 본 발명은 고에너지선을 광원으로 한 포토리소그래피에 있어서 해상성, 특히 패턴 형상의 직사각형성이 우수하고, 또한 거칠기가 작은 양호한 패턴을 부여하며, 나아가서는 디펙트가 발현되기 어려운 레지스트 재료에 사용되는 술포늄염 및 이 술포늄염을 함유하는 레지스트 재료 및 그 레지스트 재료를 이용한 패턴 형성 방법을 제공한다. [해결수단] 하기 일반식(1a)로 나타내어지는 술포늄염. (식에서, R 및 R0은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 헤테로 원자로 치환되어 있더라도 좋고, 헤테로 원자가 개재하더라도 좋은 탄소수 1∼30의 직쇄상, 분기상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타낸다)

  本发明涉及以高能量射线为光源的光刻技术中的分辨率，特别是在图案形状的矩形性方面表现优异，并且赋予较小粗糙度的良好图案，进一步提供了用于难以出现缺陷的光刻材料的硫酸铵盐以及含有该硫酸铵盐的光刻材料和利用该光刻材料进行图案形成的方法。【解决手段】如下所示的硫酸铵盐的一般式（1a）。 （在该式中，R和R0分别独立地表示氢原子或被杂原子取代，即使被杂原子取代也可以，杂原子可以是直链、支链或环状的1~30碳原子的脂肪、支链或环状的烃基）。
• NOVEL SULFONATE AND ITS DERIVATIVE, PHOTOSENSITIVE ACID GENERATOR, AND RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS USING THE SAME
  申请人：OHASHI Masaki

  公开号：US20100209827A1

  公开（公告）日：2010-08-19

  There is disclosed a sulfonate shown by the following general formula (2). R 1 —COOC(CF 3 ) 2 —CH 2 SO 3 − M + (2) (In the formula, R 1 represents a linear, a branched, or a cyclic monovalent hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms optionally containing a hetero atom. M + represents a cation.) There can be provided: a novel sulfonate which is effective for a chemically amplified resist composition having a sufficiently high solubility (compatibility) in a resist solvent and a resin, a good storage stability, a PED stability, a further wider depth of focus, a good sensitivity, in particular a high resolution and a good pattern profile form; a photosensitive acid generator; a resist composition using this; a photomask blank, and a patterning process.

  本发明公开了一种磺酸盐，其由以下通式（2）所示：R1—COOC(CF3)2—CH2SO3−M+（2）（其中，R1表示具有1至50个碳原子的线性、支链或环状单价碳氢基团，可选含有杂原子。M+表示阳离子）。本发明提供了：一种新型磺酸盐，其在化学增强型光刻胶组分中具有足够高的溶解度（相容性），良好的储存稳定性、PED稳定性，进一步具有更宽的焦深、良好的灵敏度，特别是高分辨率和良好的图案轮廓形态；一种光敏酸发生剂；使用该复合物的光刻胶组合物；光掩模空白，以及一种制图过程。
• Sulfonate and its derivative, photosensitive acid generator, and resist composition and patterning process using the same
  申请人：Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.

  公开号：US08283104B2

  公开（公告）日：2012-10-09

  There is disclosed a sulfonate shown by the following general formula (2). R1—COOC(CF3)2—CH2SO3−M+  (2) (In the formula, R1 represents a linear, a branched, or a cyclic monovalent hydrocarbon group having 1 to 50 carbon atoms optionally containing a hetero atom. M+ represents a cation.) There can be provided: a novel sulfonate which is effective for a chemically amplified resist composition having a sufficiently high solubility (compatibility) in a resist solvent and a resin, a good storage stability, a PED stability, a further wider depth of focus, a good sensitivity, in particular a high resolution and a good pattern profile form; a photosensitive acid generator; a resist composition using this; a photomask blank, and a patterning process.

  本发明公开了一种磺酸盐，其通式如下（2）所示。R1-COOC（CF3）2-CH2SO3-M+  （2）（其中，R1代表具有1至50个碳原子的线性、支链或环状单价碳氢基团，可选含有杂原子。M+代表阳离子。）可以提供：一种新型的磺酸盐，其对于具有足够高的可溶性（相容性）在抗蚀剂溶剂和树脂中具有高效性，具有良好的储存稳定性、PED稳定性、更广泛的焦点深度、良好的灵敏度，特别是高分辨率和良好的图案轮廓形状的化学放大抗蚀剂组成物；一种光敏酸发生剂；使用此种组成物的抗蚀剂组成物；光掩膜空白和图案化过程。
• PREPARATION OF 2,2-BIS (FLUOROALKYL) OXIRANE AND PREPARATION OF PHOTOACID GENERATOR THEREFROM
  申请人：SAGEHASHI Masayoshi

  公开号：US20130005997A1

  公开（公告）日：2013-01-03

  A 2,2-bis(fluoroalkyl)oxirane (A) is prepared by reacting a fluorinated alcohol (1) with a chlorinating, brominating or sulfonylating agent under basic conditions to form an oxirane precursor (2) and subjecting the oxirane precursor to ring closure under basic conditions. R 1 and R 2 are fluoroalkyl groups, R 3 and R 4 are hydrogen or monovalent hydrocarbon groups, X is chlorine, bromine or —OSO 2 R 5 group, and R 5 is alkyl or aryl.

  A 2,2-双（氟烷基）环氧乙烷（A）是通过将氟化醇（1）与氯化、溴化或磺酰化试剂在碱性条件下反应形成环氧前体（2），并在碱性条件下使环氧前体发生环闭合反应而制备得到。其中，R1和R2为氟烷基，R3和R4为氢或一价烃基，X为氯、溴或—OSO2R5基团，R5为烷基或芳基。
• 신규 술폰산염 및 그의 유도체, 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
  申请人：SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤(519980708960)

  公开号：KR101532103B1

  公开（公告）日：2015-06-26

  본 발명은 레지스트 용제 및 수지에 대한 용해성(상용성)이 충분히 높고, 보존 안정성이 양호하고, PED 안정성이 있으며, 촛점 심도가 보다 넓고, 감도가 양호하고, 특히 해상성과 패턴 프로파일 형상이 우수한 화학 증폭형 레지스트 재료를 제공하는 화학 증폭형 레지스트 재료용으로서 효과적인 신규 술폰산염과 광산발생제 및 이것을 이용한 레지스트 재료, 포토마스크 블랭크 및 패턴 형성 방법을 제공한다. 본 발명은 하기 화학식 2로 표시되는 술폰산염을 제공한다. <화학식 2> (식 중, R1은 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 50의 직쇄상, 분지상 또는 환상의 1가 탄화수소기를 나타내고, M+는 양이온을 나타낸다.)

  本发明提供了对化学放大抗蚀剂材料有效的新型磺酸盐和光发生剂，它们在抗蚀剂溶剂和树脂中具有足够高的溶解度（相容性）、良好的保存稳定性、PED稳定性、更宽的焦深、良好的灵敏度，特别是良好的分辨率和图案轮廓形状，以及使用它们形成抗蚀剂材料、光掩膜坯料和图案的方法。本发明提供了由下式 2 表示的磺酸盐。<方案2>（式中，R1代表碳数为1至50的直链、支链或环状单价烃基，其中可包括一个杂原子，M+代表阳离子）。