N-methoxypropanamide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机酸及其衍生物 - 羧酸及其衍生物
• 英文名称: N-methoxypropanamide
• 英文别名: N-methoxypropionamide
• 化学式: C₄H₉NO₂
• 分子量: 103.121
• InChiKey: ZCZCMEYEONUQJM-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.1
• 重原子数：
  7
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.75
• 拓扑面积：
  38.3
• 氢给体数：
  1
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  N-methoxypropanamide 在 四丁基碘化铵 作用下， 以 N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂， 反应 3.5h， 生成
  参考文献：
  名称：

  轻度反应条件下N-烷氧基酰胺的电二聚反应，用于锌（II）催化的酚酯合成

  摘要：

  已经报道了从N-烷氧基酰胺合成酚酯的电化学开-关方法。这种一锅法的协议开始于使用n- Bu 4 NI（TBAI）作为电催化剂对酰胺进行快速和选择性的电二聚。在不存在电流的情况下，该反应会进一步通过酰胺催化的二聚体的Zn催化C-N键活化而进行，然后将其与苯酚偶联形成酯。本方法学不含配体，在温和的反应条件下进行。这种转变结合了多种酚和酰胺底物，导致形成功能化的酯，从而突出了其多功能性。

  DOI：

  10.1002/adsc.201701646
• 作为产物：
  描述：

  甲氧基胺盐酸盐 、 丙酰氯 在 吡啶 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 反应 12.0h， 以81%的产率得到N-methoxypropanamide
  参考文献：
  名称：

  用于薄膜应用的 N-烷氧基甲酰胺稳定的锡 (II) 和锗 (II) 配合物

  摘要：

  通过采用 N-烷氧基官能化羧酰胺作为稳定配体，成功合成了一系列新的锗 (1-5) 和锡 (6-10) 配合物，这些配合物有可能作为薄膜应用的前体。所有配合物均通过傅里叶变换 (FT) 红外光谱和核磁共振光谱以及元素和热重 (TG) 分析进行表征。配合物 5 和 10 的单晶 X 射线研究表明，它们在单斜空间群 (P2(1)/c) 中作为单体结晶。这些配合物中的金属中心与四个氧原子配位并显示出扭曲的三角双锥几何形状。配合物的热重分析和挥发性研究表明化合物 2-4 和 6-9 具有良好的挥发性和稳定性。在这些复合体中，

  DOI：

  10.1002/ejic.201600884

文献信息

• <i>N</i>-Methoxyamide: An Alternative Amidation Reagent in the Rhodium(III)-Catalyzed C–H Activation
  作者：Chao Zhou、Junqi Zhao、Weicong Guo、Jijun Jiang、Jun Wang

  DOI：10.1021/acs.orglett.9b03357

  日期：2019.12.6

  In the field of transition-metal-catalyzed C-H activation, N-methoxyamides are widely used as C-H activation substrate. Unexpectedly, in this work N-methoxyamides were found to work as efficient amidation reagents in the rhodium(III)-catalyzed C-H activation with boric acid as a cocatalyst. This reaction features broad substrate scope and good yields.

  在过渡金属催化的CH活化领域中，N-甲氧基酰胺被广泛用作CH活化底物。出乎意料的是，在这项工作中，发现了N-甲氧基酰胺在以硼酸为助催化剂的铑（III）催化的CH活化中作为有效的酰胺化试剂。该反应具有广泛的底物范围和良好的收率。
• METAL PRECURSOR, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND METHOD FOR FORMING THIN FILM BY USING SAME
  申请人：KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY

  公开号：US20180334471A1

  公开（公告）日：2018-11-22

  The present invention relates to a novel metal precursor having improved thermal stability and volatility and can provide: a method for readily manufacturing a good quality metal oxide thin film at an excellent growth rate at low temperature by using the metal precursor; and a thin film manufactured by using the same.

  本发明涉及一种具有改进的热稳定性和挥发性的新型金属前体，可以提供：通过使用该金属前体，在低温下以优异的生长速率轻松制造优质金属氧化物薄膜的方法；以及使用相同金属前体制造的薄膜。
• 一种N-烷氧基取代酰胺的制备方法
  申请人：国药集团化学试剂有限公司

  公开号：CN104356027B

  公开（公告）日：2017-08-18

  一种N‑烷氧基取代酰胺的制备方法，包括如下步骤：1)将烷氧基羟胺盐酸盐溶于氢氧化钠水溶液中，加入二氯甲烷，搅拌，得烷氧基羟胺溶液；2)另取混合均匀的酰氯二氯甲烷溶液，滴加到步骤1)得到的烷氧基羟胺溶液中，滴加过程中控制温度10～30℃；3)升温至30～40℃，反应0.5～2小时，反应完毕后，冷却至10～20℃，分液，得有机相和水相，洗涤有机相1～2次，去除水相，有机相在常压下蒸除二氯甲烷，在50～60℃下减压蒸馏0.5～1小时，即得所述N‑烷氧基取代酰胺。本发明的方法收率高，反应条件温和，后处理快捷，得到的N‑烷氧基取代酰胺产品纯度高，质量稳定，符合绿色化工的要求，适于工业化生产。
• Positive allosteric modulators of nicotinic acetylcholine receptor
  申请人：Sams Anette Graven

  公开号：US20120252853A1

  公开（公告）日：2012-10-04

  The present invention relates to compounds useful in therapy, to compositions comprising said compounds, and to methods of treating diseases comprising administration of said compounds. The compounds referred to are positive allosteric modulators (PAMs) of the nicotinic acetylcholine α7 receptor.

  本发明涉及在治疗中有用的化合物，包括包含该化合物的组合物，以及通过给予该化合物治疗疾病的方法。所涉及的化合物是尼古丁酸乙酰胆碱α7受体的正变构调节剂（PAMs）。
• Imino 1,2-Wittig rearrangement of hydroximates and its application to synthesis of cytoxazone
  作者：Okiko Miyata、Tomoko Koizumi、Hiroshi Asai、Ryuichi Iba、Takeaki Naito

  DOI：10.1016/j.tet.2004.02.048

  日期：2004.4

  The imino 1,2-Wittig rearrangement of hydroximates provides a novel method for the construction of 2-hydroxyoxime ethers. Upon treatment with LDA, Z-hydroximates smoothly underwent stereoselective rearrangement to give Z-2-hydroxyoxime ethers in good yield, which were converted into amino alcohols. On the other hand, the rearrangement of E-hydroximates gave a mixture of E- and Z-2-hydroxyoxime ethers. This method was successfully applied to a practical synthesis of cytoxazone. (C) 2004 Elsevier Ltd. All rights reserved.