indium(III) myristate

• 分子结构分类: 有机化合物 - 脂质和类脂质分子 - 脂肪酰基
• 英文名称: indium(III) myristate
• 英文别名: indium myristate；In(myristate)3
• 化学式: 3C₁₄H₂₇O₂*In
• 分子量: 796.922
• InChiKey: LKZDABYSQOMYKQ-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.06
• 重原子数：
  17.0
• 可旋转键数：
  12.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.93
• 拓扑面积：
  40.13
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  indium(III) myristate 在 1-octadecyl alcohol or decyl alcohol 作用下， 以 further solvent(s) 为溶剂， 生成 indium(III) oxide
  参考文献：
  名称：

  通过有限的配体保护可以生长出具有不同化学组成和物理性质的结晶纳米花。

  摘要：

  DOI：

  10.1002/anie.200601553
• 作为产物：
  描述：

  肉豆蔻酸酐 在 indium isopropoxide 作用下， 以 三辛基膦 为溶剂， 反应 0.17h， 生成 indium(III) myristate
  参考文献：
  名称：

  METHOD FOR PRODUCTION OF FINEPARTICLE AND METHOD FOR PRODUCTION OF INDIUM ORGANOCARBOXYLATE

  摘要：

  一种生产分子中至少含有P、As和Sb中的至少一个元素“X”和Ga、In、Zn、Cd、Si、Ge和Sn中的至少一个元素“Y”的细小颗粒的方法，包括以下步骤：(a)将元素X的原材料和元素Y的原材料混合在溶剂中，制备原材料混合物溶液；(b)根据预定的反应温度和细小颗粒的平均粒径之间的预定相互关系，将原材料混合物溶液的温度升高到预定的反应温度。另外还提供了一种生产铟有机羧酸盐的方法，包括将铟烷氧化物和有机羧酸酐反应。

  公开号：

  US20090264668A1

文献信息

• Mechanistic Insights into the Formation of InP Quantum Dots
  作者：Peter M. Allen、Brian J. Walker、Moungi G. Bawendi

  DOI：10.1002/anie.200905632

  日期：2010.1.18

  InP Kudos: The molecular mechanism of InP colloidal quantum dot (QD) syntheses was investigated by NMR spectroscopy. Unlike methods for monodisperse PbSe and CdSe, existing InP syntheses result in total depletion of molecular phosphorous species following nucleation, so QD growth is due exclusively to non‐molecular ripening. Amines inhibit precursor depletion by solvation (see picture), contrary to

  InP 荣誉：通过核磁共振光谱研究了 InP 胶体量子点 (QD) 合成的分子机制。与单分散 PbSe 和 CdSe 的方法不同，现有的 InP 合成导致成核后分子磷物质完全耗尽，因此 QD 生长完全是由于非分子成熟。与之前的报道相反，胺通过溶剂化作用抑制前体消耗（见图）。
• Investigation of Indium Phosphide Quantum Dot Nucleation and Growth Utilizing Triarylsilylphosphine Precursors
  作者：Dylan C. Gary、Benjamin A. Glassy、Brandi M. Cossairt

  DOI：10.1021/cm500102q

  日期：2014.2.25

  each precursor in the synthesis of indium phosphide (InP) quantum dots (QDs). This approach was allowed by the exploration of the synthesis and reactivity of a series of sterically encumbered triarylsilylphosphines substituted at the para position of the aryl group, P(Si(C6H4-X)3)3 (X = H, Me, CF3, or Cl), as a contrast to P(SiMe3)3, the P3– source commonly employed in such syntheses. UV–vis absorption

  我们已经开发了一种二膦战略，可以根据磷化铟（InP）量子点（QD）合成中每种前体的相对反应性来独立地调整成核和生长动力学。通过探索一系列在芳基对位P（Si（C 6 H 4 -X）3）3（X = H，Me， CF 3或Cl），作为与P（SiMe 3）3的对比，P 3–通常用于此类合成中的来源。InP QD生长期间等分试样的紫外-可见吸收光谱显示，在InP形成速率和最终粒径方面，带有给电子基团和吸电子基团的三芳基甲硅烷基膦之间形成了鲜明的对比。31 P 1 H}核磁共振波谱证实，当掺入P（SiPh 3）3作为唯一的磷前体时，前驱体转化率在整个纳米晶体合成过程中仍然是限速的；然而，这不足以有效分离该系统中的成核和生长，因为所导致的成核速率很慢。在所有情况下，使用单一化学物种作为P 3–的合成发现该源与In（O 2 C（CH 2）12 CH 3）3的反应性较差，因为前驱体转化率[P（SiPh 3）3和P
• PROCESS FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL CORES, CORE-SHELL, CORE-BUFFER-SHELL, AND MULTIPLE LAYER SYSTEMS IN A NON-COORDINATING SOLVENT UTILIZING IN SITU SURFACTANT GENERATION
  申请人：Lucey W. Derrick

  公开号：US20070049765A1

  公开（公告）日：2007-03-01

  A process for producing semiconductor nanocrystal cores, core-shell, core-buffer-shell, and multiple layer systems is disclosed. The process involves a non-coordinating solvent and in situ surfactant generation.

  一种制备半导体纳米晶核、核-壳、核-缓冲-壳和多层系统的过程被揭示。该过程涉及非配位溶剂和原位表面活性剂生成。
• Investigation of Indium Phosphide Nanocrystal Synthesis Using a High-Temperature and High-Pressure Continuous Flow Microreactor
  作者：Jinyoung Baek、Peter M. Allen、Moungi G. Bawendi、Klavs F. Jensen

  DOI：10.1002/anie.201006412

  日期：2011.1.17

  The important parameters for the synthesis of indium phosphide nanocrystals (InP NCs) are examined in a continuous three‐stage microfluidic system (see figure). InP NC growth is largely independent of the experimental parameters that are significant in CdSe NC syntheses, such as mixing temperature and reagent concentrations. However, the concentration of myristic acid (MA) is important role for the

  在连续的三阶段微流系统中检查了合成磷化铟纳米晶体（InP NCs）的重要参数（见图）。InP NC的生长在很大程度上与CdSe NC合成中重要的实验参数无关，例如混合温度和试剂浓度。但是，肉豆蔻酸（MA）的浓度对于InP NCs的生长起重要作用。
• Two-Step Nucleation and Growth of InP Quantum Dots via Magic-Sized Cluster Intermediates
  作者：Dylan C. Gary、Maxwell W. Terban、Simon J. L. Billinge、Brandi M. Cossairt

  DOI：10.1021/acs.chemmater.5b00286

  日期：2015.2.24

  synthesis of indium phosphide quantum dots (InP QDs) from molecular precursors. Heterogeneous growth from the MSCs directly to InP QDs was observed without intermediate sized particles. These observations suggest that previous efforts to control nucleation and growth by tuning precursor reactivity have been undermined by formation of these kinetically persistent MSCs prior to QD formation. The thermal stability

  我们报告了神奇大小的簇（MSC）作为从分子前体合成磷化铟量子点（InP QDs）的关键中间体的作用。观察到从MSCs到InP QDs的异质生长，而没有中等大小的颗粒。这些观察结果表明，通过在QD形成之前形成这些动力学上持久的MSC，已经破坏了通过调节前体反应性来控制成核和生长的先前努力。InP MSC的热稳定性受外源碱基的存在以及阴离子配体的选择的影响。发现将伯胺（以前的InP QD合成中的常见添加剂）加到以羧酸盐封端的MSC中可以绕开MSC的形成，从而可以通过连续的可分离尺寸使InP QD均匀生长。羧酸盐配体组取代膦酸酯配体组将一种特定的InP MSC的热稳定性提高到400°C。通过紫外-可见吸收光谱，粉末XRD分析和溶液研究了具有羧酸盐和膦酸盐配体组的MSC的结构和光学性质。31 P 1 H}和1 H NMR光谱。最后，羧酸盐封端的MSC被鉴定为合成高质量InP QD的有效单源前体（SSP）。使用InP