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2-hydroxypropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate)

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-hydroxypropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate)
英文别名
[2-Hydroxy-3-(2-methylpropanoyloxy)propyl] 2-methylpropanoate
2-hydroxypropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate)化学式
CAS
——
化学式
C11H20O5
mdl
——
分子量
232.277
InChiKey
KRFCKGOEPNDCTQ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.5
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    8
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.82
  • 拓扑面积:
    72.8
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    5

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-hydroxypropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate)吡啶4-二甲氨基吡啶盐酸-N-乙基-Nˊ-(3-二甲氨基丙基)碳二亚胺三氟乙酸 作用下, 以 四氢呋喃二氯甲烷N,N-二甲基甲酰胺 为溶剂, 反应 9.5h, 生成 ((2R,3S,5R)-5-(6-amino-2-fluoro-9H-purin-9-yl)-2-ethynyl-3-hydroxytetrahydrofuran-2-yl)methyl (1,3-bis(isobutyryloxy)propan-2-yl) succinate
    参考文献:
    名称:
    [EN] COMPOUNDS USEFUL IN HIV THERAPY
    [FR] COMPOSÉS UTILES DANS LA THÉRAPIE DU VIH
    摘要:
    这项发明涉及公式(I)的化合物,其盐,药物组合物,以及治疗或预防HIV的方法。
    公开号:
    WO2020178767A1
  • 作为产物:
    描述:
    2-oxopropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate) 在 sodium tetrahydroborate 、 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 0.5h, 以80%的产率得到2-hydroxypropane-1,3-diyl bis(2-methylpropanoate)
    参考文献:
    名称:
    [EN] 4'-ETHYNYL-2'-DEOXYADENOSINE DERIVATIVES AND THEIR USE IN HIV THERAPY
    [FR] DÉRIVÉS DE 4'-ÉTHYNYLE -2'-DÉSOXYADÉNOSINE ET LEUR UTILISATION EN THÉRAPIE CONTRE LE VIH
    摘要:
    这项发明涉及式(I)和(II)的化合物,其盐,药物组合物,以及在受试者中治疗或预防HIV的方法。
    公开号:
    WO2021024114A1
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文献信息

  • Alkoxy methyl ether and alkoxy methyl ester derivatives
    申请人:SYNTEX (U.S.A.) INC.
    公开号:EP0187297B1
    公开(公告)日:1991-08-21
  • Guth, 1903, vol. 44, p. 97
    作者:Guth
    DOI:——
    日期:——
  • Underlayer Coating Forming Composition for Lithography Containing Naphthalene Ring Having Halogen Atom
    申请人:Takei Satoshi
    公开号:US20070238029A1
    公开(公告)日:2007-10-11
    There is provided an underlayer coating forming composition for lithography, and an underlayer coating having a high dry etching rate compared with photoresist, and causing no intermixing with the photoresist, which are used in lithography process of manufacture of semiconductor device. Concretely, it is an underlayer coating forming composition comprising a polymer having a structural unit containing naphthalene ring substituted with halogen atom in a molar ratio of 0.3 or more in the structural units constituting the polymer, a solvent.
  • US5225590A
    申请人:——
    公开号:US5225590A
    公开(公告)日:1993-07-06
  • US8088546B2
    申请人:——
    公开号:US8088546B2
    公开(公告)日:2012-01-03
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