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bismuth(III) triethoxide

中文名称
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中文别名
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英文名称
bismuth(III) triethoxide
英文别名
bismuth triethoxide;bismuth(III)(OEt)3;bismuthtriethoxide;bismuth ethoxide;Trisethoxybismutin;Triethoxy-wismut
bismuth(III) triethoxide化学式
CAS
——
化学式
C6H15BiO3
mdl
——
分子量
344.164
InChiKey
DRAOEZGJZKNCGG-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
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计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    -1.01
  • 重原子数:
    4.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    23.06
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    1.0

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    bismuth(III) triethoxide 为溶剂, 生成 bismuth(III) oxide
    参考文献:
    名称:
    Turevskaya; Bergo; Yanovskaya, Russian Journal of Inorganic Chemistry, 1996, vol. 41, # 5, p. 695 - 699
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    氯化铋 在 Na 、 C2H5OH 作用下, 以 乙醚乙醇 为溶剂, 以95%的产率得到bismuth(III) triethoxide
    参考文献:
    名称:
    Kucheiko, S. I.; Kessler, V. G.; Turova, N. Ya., Koordinatsionnaya Khimiya, 1987, vol. 13, p. 586 - 589
    摘要:
    DOI:
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文献信息

  • Impact of oxygen ambient on ferroelectric properties of polar-axis-oriented CaBi4Ti4O15 films
    作者:Kazumi Kato、Kiyotaka Tanaka、Kazuyuki Suzuki、Tatsuo Kimura、Kaori Nishizawa、Takeshi Miki
    DOI:10.1063/1.1883329
    日期:2005.3.14
    Polar-axis oriented CaBi4Ti4O15(CBTi144) films were fabricated on Pt foils using a complex metal alkoxide solution. The oxygen ambient during crystallization of the films impacted the crystal perfection, crystallite size, and the ferroelectric properties. The 500mm thick film crystallized in oxygen flow had single columnar structure and in-plane grain size of about 200nm. The Scherrer’s crystallite
    使用复合属醇盐溶液在 Pt 箔上制造极轴取向的 CaBi4Ti4O15(CBTi144) 薄膜。薄膜结晶过程中的氧气环境影响了晶体的完美性、微晶尺寸和电性能。在氧气流中结晶的500mm厚的薄膜具有单柱状结构和约200nm的面内晶粒尺寸。Scherrer 微晶直径计算为约 110nm。电性能得到改善。在 50V 的施加电压下,薄膜的 Pr 和 Ec 分别增强为 33.6μC∕cm2 和 357kV∕cm。通过控制薄膜的氧化学计量来降低用于全极化切换的电压。事实上,极轴取向的 CBTi144 薄膜将为器件作为无电材料开辟可能性。
  • Phase transition, ferroelectric, and dielectric properties of layer-structured perovskite CaBi3Ti3O12−δ thin films
    作者:Kazumi Kato、Kazuyuki Suzuki、Kaori Nishizawa、Takeshi Miki
    DOI:10.1063/1.1385195
    日期:2001.7.16
    Thin films of a bismuth-based layer-structured perovskite compound with a number of oxygen octahedron along the c axis between Bi–O layers of three, CaBi3Ti3O12−δ, were prepared using a mixture solution of complex alkoxides. The films crystallized below 550 °C. The crystal structure and surface morphology of these films changed between 600 and 650 °C. The 650 °C-annealed thin film consisted of well-developed
    使用复合醇盐的混合溶液制备了基层结构矿化合物薄膜,在三层 Bi-O 层之间,沿 c 轴具有多个氧八面体,CaBi3Ti3O12-δ。薄膜在 550°C 以下结晶。这些薄膜的晶体结构和表面形态在 600 到 650 °C 之间发生变化。650 °C 退火的薄膜由发育良好的晶粒组成,并表现出极化-电滞回线。剩余极化和矫顽电场在 7 V 时分别为 8.5 μC/cm2 和 124 kV/cm。在 100 kHz 时,介电常数和损耗因数分别约为 250 和 0.048。
  • Piezoelectric properties of lead-free CaBi4Ti4O15 thin films
    作者:Fumihito Arai、Kohei Motoo、Toshio Fukuda、Kazumi Kato
    DOI:10.1063/1.1806555
    日期:2004.11
    CaBi4Ti4O15 (CBTi144) thin films are evaluated for use as lead-free thin-film piezoelectrics in microelectromechanical systems. CBTi144 thin films were prepared on Pt substrates by dip coating a precursor solution of metal alkoxides. We fabricated a piezoelectric bimorph actuator using those films and analyzed the displacement induced by the electric field. Young’s modulus was measured by the vibrating-reed
    CaBi4Ti4O15 (CBTi144) 薄膜被评估用作微机电系统中的无薄膜压电材料。通过浸涂属醇盐的前体溶液在 Pt 基底上制备 CBTi144 薄膜。我们使用这些薄膜制造了一个压电双压电晶片致动器,并分析了电场引起的位移。杨氏模量通过振簧技术测量,压电常数d31通过弯曲位移分析和位移-电压曲线测量得到。测量结果表明 CBTi144 薄膜具有 32pm∕V 的大压电常数 d31。
  • Molybdenum and tungsten (VI) bimetallic alkoxides. Decomposition accompanied by dialkylether elimination
    作者:N.Ya. Turova、V.G. Kessler、S.I. Kucheiko
    DOI:10.1016/s0277-5387(00)81337-6
    日期:1991.1
    readily than the corresponding tungsten species. Under special conditions the crystals of [NaWO(OEt)5(EtOH)2]2 (I) and [NaMo2O4(OR)5(ROH)]2 [R =iPr (VI), Et (VIII)] complexes have been isolated. [NaMoO2(OC2H4OMe)3]2 (XI) proved to be the only stable complex. Solubility isotherms in the systems WO(OEt)4-M(OEt)n-EtOH and MoO2(OC2H4OMe)2- M(OC2H4OMe)2-M(OC2H4OMe)n-MeOC2H4OH (M = Na, Bi) were measured which
    摘要(或)醇盐对MO(OR)4和MO2(OR)2(M = MO,W; R = Et,iPr,C2H4OMe)的电导滴定曲线最终证明了(1:1 )在乙醇溶液中的双属配合物。溶剂从溶液中蒸发后,络合物发生分解,并伴有醚的消除,导致Na2MOO4沉淀。生物比相应的物质更容易分解。在特殊条件下,已分离出[NaWO(OEt)5(EtOH)2] 2(I)和[NaMO2O4(OR)5(ROH)] 2 [R = iPr(VI),Et(VIII)]络合物的晶体。[NaMO (OC2H4OMe)3] 2(XI)被证明是唯一稳定的络合物。在WO(OEt)4-M(OEt)n-EtOH和MO href=https://www.molaid.com/MS_22250020 target="_blank">MoO2(OC2H4OMe)2-M(OC2H4OMe)2-M(OC2H4OMe)n-MeOC2H4OH系统中的溶解度等温线(M = Na,Bi)被测量,这允许我们建立复合物的稳定性区域。基于其晶体结构和红外光谱,对合成
  • Molecular precursors of bismuth oxides; β-Diketonates and alkoxides. Molecular structure of [Bi2(μ2,η1-OC2H4OMe)4(η1-OC2H4OMe)2]∞ and of Bi(OSiPh3)3(THF)3
    作者:Marie-Cecile Massiani、Renee Papiernik、Liliane G. Hubert-Pfalzgraf、Jean-Claude Daran
    DOI:10.1016/s0277-5387(00)80209-0
    日期:1991.1
    OMe)4(OC2H4OMe)2 units. The alkoxo functionality leads to a distorted pyramidal tetragonal surrounding, but the ether functionality of the bridging groups provides further oxygen donors, and thus coordination numbers of seven and even eight are reached. Bi(OSiPh3)3(THF)3 is monomeric wi th a capped octahedron geometry around the metal. The thermal stability of the volatile precursors 1 and Bi(dpm)3 is in
    已经研究了制备(III)醇盐和β-二酮酸酯衍生物的各种途径。卤化物和适当的生物的易位反应提供[Bi(O t Bu)3 ]∞(1),[Bi 2(OC 2 H 4 OMe)6 ]∞(2),[Bi(OSiPh 3)3 ] m和Bi(dpm)3(dpmH =二新戊酰甲烷),收率良好。醇盐显示出不同的物理性质。1具有良好的挥发性,而2具有高度溶解性。配合物2和Bi(OSiPh 3)3(THF)3(3)已经通过X射线衍射表征。化合物2示出了一维扩展的“偏斜”链基于二聚体不对称结构的Bi 2(μ 2,η 1 -OC 2 H ^ 4 OME)4(OC 2 H ^ 4 OME)2个单元。烷氧基官能度导致扭曲的字塔四角形周围,但是桥接基团的醚官能度提供了更多的氧供体,因此达到了七个甚至八个的配位数。Bi(OSiPh 3)3(THF)3是具有围绕属的封端八面体几何形状的单体。挥发性前体1和Bi(dpm
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