{(Me3Ga)*N4-Ada}

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 三嗪烷类
• 英文名称: {(Me3Ga)*N4-Ada}
• 英文别名: 1,3,5,7-tetrazatricyclo[3.3.1.13,7]decane;trimethylgallane
• 化学式: C₉H₂₁GaN₄
• 分子量: 255.016
• InChiKey: MWEMUMVFFDJYBQ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.35
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  4.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  13
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三甲基镓 在 hexamethylenetetramine 作用下， 以 not given 为溶剂， 以67%的产率得到{(Me3Ga)*N4-Ada}
  参考文献：
  名称：

  铝，镓，铟和th的Trimethymetall-urotropinaddukte des

  摘要：

  乌洛托品（C 6 H 12 N 4）与Al，Ga，In和Tl的三甲基金属衍生物以各种摩尔比（ ）反应可生成稳定的单体和加合物，或形成高收率的加合物，但无法分离出任何加成产物。记录并部分分配所有化合物的振动光谱（IR和拉曼光谱）。作为C一些特征频率6个Ñ 4 -skeletons清楚地示出在该系列的对称性变化→交通→交通加合物（C 3ν →交通Ç 2ν →交通Ç 3ν）。C 6的X射线结构测定ħ 12 ñ 4 ·。游戏3（MeCH 3）和C 6 H ^ 12 ñ 4 ·.2GaMe 3，是与振动光谱基本一致。两种化合物均在单斜晶空间群（P 2 1和C 2 / c）中结晶。GaN距离约为214 pm，C 6 N 4骨架的值与游离乌托品的值没有显着差异。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)96078-9

文献信息

• Reaction of Me3Ga and Me3Al with the tertiary-tetraaza analog of adamantane, hexamethylenetetramine (N4-Ada). Syntheses and molecular structures of [(Me3M)n · N4-Ada] (n = 1–4, M  Ga or Al)
  作者：Jameica B. Hill、Sheila J. Eng、William T. Pennington、Gregory H. Robinson

  DOI：10.1016/0022-328x(93)80180-j

  日期：1993.2

  Reaction of Me3Al or Me3Ga with hexamethylenetetramine, N4-Ada (Ada = adamantane), in toluene affords the crystalline addition products [(Me3M)n . N4-Ada] (n = 4, M = Ga (1); n = 3, M = Ga (11); n = 3, M = Al (111); n = 2, M = Ga (IV); n = 2, M = Al (V); n = 1, M = Ga (VI). Compound I crystallizes in the triclinic space group P1BAR (no. 2) with unit cell parameters a = 10.365(3), b = 11.814(6), c = 11.991(6) angstrom, alpha = 94.16(4), beta = 92.56(3), gamma = 92.44(3)-degrees, V = 1461(1) angstrom3, and D(calc) = 1.36 g cm-3 for Z = 2. Least-squares refinement based on 2600 observed reflections converged at R = 0.075, R(w) = 0.089. Compound III crystallizes in the monoclinic space group P2(1)/c (no. 14) with unit cell parameters a = 7.416(2), b = 16.687(6), c = 19.143(6) angstrom, beta = 91.71(2)-degrees, V = 2368(1) angstrom3, and D(calc.) = 1.00 g cm-3 for Z = 4. Least-squares refinement based on 2235 observed reflections converged at R = 0.085, R(w) = 0.102. The mean Ga-N bond distance in I is 2.29 (3) angstrom, while the corresponding Al-N distance is 2.11 (1) angstrom. The Ga-N distance of 2.318 (9) angstrom in I is the longest such distance reported. A molecular mechanics study was used to show that the sequential addition of Me3M (M = Al or Ga) units to N4-Ada significantly affects the relative Lewis basicities of the nitrogen atoms of the amine.